Baars, J.J.BaarsHurrle, A.A.HurrleRothemund, W.W.RothemundFritzsche, C.R.C.R.FritzscheJakobus, T.T.Jakobus2022-03-022022-03-021982https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/169629enBorcadmiumDonatorimplantationn-LeitfaehigkeitQuecksilberTellurTemperntertiaerer Halbleiter621667530Baron ion implantation in Hg(1-x)Cd(x)TeBor Ionen Implantation in Quecksilber Cadmium Tellurid Hg(1-x)Cd(x)Tejournal article