Erlbacher, TobiasTobiasErlbacherLorentz, VincentVincentLorentzWaller, ReinholdReinholdWallerRattmann, GudrunGudrunRattmann2022-03-082022-03-082015https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/310758Eine Vorrichtung 10 zur Überbrückung eines elektrischen Energiespeichers umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordneten ersten Dotierungsgebiet 3 und einem an das erste Dotierungsgebiet 3 angrenzendes zweites Dotierungsgebiet 4. Der pn-Übergang zwischen dem ersten Dotierungsgebiet 3 und dem zweiten Dotierungsgebiet 4 ist zumindest teilweise weniger als 5[mu]m von einem an der Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordneten Anschlussbereich des ersten Dotierungsgebiets 3 entfernt angeordnet. Ferner umfasst die Vorrichtung eine erste Anschlussstruktur 2, die in dem Anschlussbereich des ersten Dotierungsgebiets 3 mit dem ersten Dotierungsgebiet 3 in Kontakt ist und zumindest teilweise ein zur Diffusion in das Halbleitersubstrat vorgesehenes, elektrisch leitfähiges Material aufweist.; Die erste Anschlussstruktur 2 ist ausgelegt, sodass das zur Diffusion in das Halbleitersubstrat vorgesehene, elektrisch leitfähige Material bei Auftreten von vordefinierten Auslösekonditionen zumindest teilweise durch das erste Dotierungsgebiet 3 bis in das zweite Dotierungsgebiet 4 diffundiert. Zusätzlich weist die Vorrichtung eine zweite Anschlussstruktur 5, die in einem Anschlussbereich des zweiten Dotierungsgebiets 4 mit dem zweiten Dotierungsgebiet 4 in Kontakt ist.A semiconductor substrate has a first doping region arranged at a surface and a second doping region adjacent to the first doping region. A p-n junction between the doping regions is at least partially arranged less than 5 micro m away from a contact area of the first doping region arranged at the substrate surface. A first contact structure is in contact with the first doping region in the contact area of the first doping region and has at least partially an electrically conductive material provided for a diffusion into the semiconductor substrate. The first contact structure is configured so that the conductive material provided for a diffusion into the substrate diffuses at least partially through the first doping region into the second doping region in case predefined trigger conditions occur. A second contact structure is in contact with the second doping region in a contact area of the second doping region.de670patent102014107287