Barthel, W.W.BarthelBudde, W.W.BuddeEggert, D.D.EggertHübler, P.P.HüblerHürrich, A.A.HürrichKück, H.H.KückOberschmidt, G.G.OberschmidtRaab, M.M.RaabZimmer, G.G.Zimmer2022-03-092022-03-091995https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/324466Die Verwendung von hochohmigen SIMOX-Substraten bietet die Möglichkeit der Herstellung von Transistoren und passiven Bauelementen für den HF- und Mikrowellenbereich in einer Technologie, die nur Standard-CMOS-Prozeßschritte benutzt. Durch systematische Minimierung der parasitären Kapazitäten und Zuleitungswiderstände sowie Kanallängen im Sub-Mikrometerbereich werden Transistoren großer Steilheit - geeignet für Signalfrequenzen bis in den Mikrowellenbereich - realisiert. Damit stellt die CMOS-Technologie auf hochohmigen SIMOX-Substraten im unteren Gigaherztbereich eine interessante Alternative zu den III/V-Technologien dar und bietet den Vorteil der Realisierung von VLSI-Schaltkreisen mit integrierten schnellen digitalen und HF-Funktionen in CMOS-Schaltungstechnik für die Anwendungsgebiete Mobil- und Satellitenfunk und schnelle ICs für die Computertechnik.deCMOS-TechnikKoplanarleitungMikrowellenbauelementMikrowellentransistorpassives BauelementSIMOXSubmikrometerbereich621conference paper