Reber, S.S.Reber2022-03-082022-03-082006https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/307325Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur gleichzeitigen Rekristallisierung und Dotierung von Halbleiterschichten, insbesondere zur Herstellung von kristallinen Silicium-Duennschichtsolarzellen. In diesem Verfahren wird in einem ersten Schritt eine Substratbasisschicht 1 hergestellt, in einem darauf folgenden Schritt auf dieser ein mindestens eine dotierte Teilschicht aufweisendes Zwischenschichtsystem 2 abgeschieden, in einem darauf folgenden Schritt eine undotierte oder ebenfalls dotierte Absorberschicht 3 auf dem Zwischenschichtsystem 2 abgeschieden und in einem Rekristallisationsschritt die Absorberschicht 3 aufgeheizt, geschmolzen, abgekuehlt und getempert. In einer vorteilhaften Verfahrensmodifikation kann auch statt einer undotierten Capping-Schicht ein mindestens eine Teilschicht aufweisende Capping-Schichtsystem 4 auf der Absorberschicht 3 abgeschieden werden.DE1004044709 A UPAB: 20060405 NOVELTY - Production of a doped semiconductor layer system comprises depositing an intermediate layer system (2) having partial layers on a substrate base layer (1), in which one of the partial layers is enriched with a first dopant of a first concentration, depositing a non-doped absorber layer (3a, 3b) or an absorber layer doped with a second dopant of a second concentration, heating the absorber layer in a re-crystallization step and cooling the melt produced. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a doped semiconductor layer system produced by the above process. USE - For electronic devices and thin layer solar cells (claimed). ADVANTAGE - The process is simple.de608621697patent102004044709