Under CopyrightAmbacher, O.Eberl, C.Albrecht, B.B.Albrecht2022-03-0710.01.20192017https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/28129210.24406/publica-fhg-281292AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.deelectronic devices & materialsoptical physicsapplied physicsUV-PhotodetektorenGasphasenepitaxieForschungsingenieure667doctoral thesis