Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates innerhalb einer Vakuumkammer mittels plasmaunterstützer chemischer Dampfabscheidung

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat (2) innerhalb einer Vakuumkammer (1) mittels plasmaunterstuetzter chemischer Dampfabscheidung umfassend mindestens einen Einlass (3) zum Einlassen mindestens eines Gases in die Vakuumkammer (1) sowie mindestens ein mit einem Target (5; 9) bestuecktes Magnetron (4) zum Erzeugen eines Plasmas bei der das Target (5; 9) waehrend des Abscheidens der Schicht zumindest in einem Bereich eine Temperatur von mindestens 300 degrees centigrade aufweist.