Dotiertes Halbleitermaterial und dessen Verwendung

(A1) Die Erfindung betrifft ein dotiertes Halbleitermaterial mit erhoehter Ladungstraegerdichte und Ladungstraegerbeweglichkeit, das mindestens ein halbleitendes Matrixmaterial und mindestens einen Dotanden enthaelt. Der Dotand ist dabei ausgewaehlt aus der Gruppe, bestehend aus stickstoffhaltigen Makrozyklen und polyzyklischen aromatischen Kohlenwasserstoffen sowie deren Oligomeren. Die Dotanden dienen dabei sowohl der Erhoehung oder Regelung der Leitfaehigkeit des halbleitenden Matrixmaterials als auch der Erhoehung der Stabilitaet gegenueber Schichtbeschaedigung.

WO 2009021663 A1 UPAB: 20090428 NOVELTY - The doped semiconductor material comprises a semiconducting matrix material and a dopant, where the semiconducting matrix material is an inorganic and an organic semiconductor. The dopant is selected from nitrogen-containing macrocycles, polycyclic aromatic hydrocarbons or their oligomers. The dopant has evaporating temperature of 135 degrees C, particularly 200 degrees C at a vacuum of 10-6 millibar, and is distributed as single molecule, not in the form of cluster in the matrix material. The nitrogenous macrocycle is a tetrapyrrole-metal complex based on a tetrapyrrole stand. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is included for a dopant for increasing or regulating conductivity of the semiconducting matrix material, and for increasing the stability towards layer damage by the sputtering techniques. USE - Doped semiconductor material. ADVANTAGE - The doped semiconductor material has an increased charge carrier density and a charge carrier mobility, and increases or stops the electrical conductivity of the host materials at the same time, and is simple to be processed.