Verfahren zur Herstellung einer thermoelektrischen Sichtenstruktur und Bauelemente einer thermoelektrischen Schichtenstruktur

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer thermoelektrischen Schichtenstruktur auf einem Substrat mit mindestens einer elektrisch anisotrop leitenden V-VI Schicht, insbesondere einer (Bi, Sb)<2< (Te, Se)<3< Schicht, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine V-VI Schicht (11, 11', 11'') mittels einer Seed-Schicht (13, 14) oder mittels einer auf dem Substrat (10) aufgebrachten Struktur relativ zu dem Substrat (10) so angeordnet wird, dass der Winkel (<) zwischen der Richtung der hoechsten Leitfaehigkeit (a-Achse) der V-VI Schicht (11, 11', 11'') und des Substrates (10) groesser als 0< ist. Auch kann die Ausrichtung mittels eines elektrischen Feldes erfolgen. Die Erfindung betrifft auch Bauelemente, bei denen der Winkel (<) zwischen der Richtung der hoechsten Leitfaehigkeit (a-Achse) der V-VI Schicht (11, 11', 11'') und des Substrates (10) groesser als 0< ist. Damit kann die bekannte Anisotropie der V-VI-Materialien vorteilhaft fuer den Aufbau von Bauelementen verwendet werden.

DE 10230080 A UPAB: 20040226 NOVELTY - Production of a thermoelectric layer structure on a substrate (14) comprises arranging a V-VI layer relative to the substrate using a seed layer or a structure applied on the substrate so that an angle between the direction of the highest conductivity (a-axis) of the V-VI layer and the substrate is more than 0 deg. . DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a component having a thermoelectric layer structure on a substrate. USE - Used in the production of microelectronics. ADVANTAGE - The anisotropy of the V-VI layer can be adjusted.