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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Low temperature photoluminescence topography of MOCVD-grown InGaP, AlGaAs and AlGaAs/GaAs single quantum wells.
 
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1992
  • Zeitschriftenaufsatz

Titel

Low temperature photoluminescence topography of MOCVD-grown InGaP, AlGaAs and AlGaAs/GaAs single quantum wells.

Alternative
Photolumineszenz-Topographie von epitaktischem InGaP, AlGaAs und von AlGaAs/GaAs Quantenschichten, abgeschieden mit MOCVD
Author(s)
As, D.J.
Korf, S.
Wang, Z.M.
Bachem, K.H.
Jantz, W.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Windscheif, J.
Zeitschrift
Semiconductor Science and Technology
Konferenz
Defect Recognition in Semiconductors Before and After Processing 1991
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DOI
10.1088/0268-1242/7/1A/005
Language
Englisch
google-scholar
IAF
Tags
  • chemical vapour depos...

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  • layer-thickness

  • MOCVD

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  • quantum wells

  • Schichtdicke

  • Schichtzusammensetzun...

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