Integrierte Schaltkreise auf Silizium zeichnen sich nicht durch zunehmende Integrationsdichte, sondern auch durch eine zunehmende Komplexität der integrierten Funktionen aus. Außerdem steigen jedoch die Anforderungen an die Schaltkreise bezüglich ihres Einsatzes auch unter extremen Umgebungsbedingungen. Dazu gehört die Forderung, integrierte Schaltkreise auch bei Temperaturen oberhalb von 150xC betreiben zu können. Der CMOS-Technologie auf konventionellen Silizium-Substraten sind hier Grenzen gesetzt. Diese Grenzen können durch die SOI (Silicon on Insulator)-Technologie überwunden werden.
