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Patent
Title
Verfahren zur Herstellung einer Metallstruktur auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates
Other Title
Method for producing a metal structure on a surface of a semiconductor substrate
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Metallstruktur auf einer Oberflaeche eines Halbleitersubstrates, folgende Schritte umfassend: A Aufbringen einer Strukturierungsschicht, welche mittels einer HotMelt-Tinte oder eines Fotolackes erzeugt wird, auf die Oberflaeche der Halbeiterstruktur oder auf eine oder mehrere die Oberflaeche bedeckende Zwischenschichten, B Aufbringen einer Metallschicht und C Entfernen der Strukturierungsschicht, wobei in einem Lift-Off-Verfahren Schritt B nach Schritt A und Schritt C nach Schritt B ausgefuehrt wird, derart, dass die Strukturierungsschicht im Wesentlichen von der Metallschicht bedeckt ist und zumindest in den Bereichen, in denen die Metallschicht die Strukturierungsschicht bedeckt, bei Ausfuehrung von Schritt C die Metallschicht abgeloest wird. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt B die Metallschicht mittels Sputterdeposition (âSputtern') aufgebracht wird.
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The method involves applying hot-melt ink such as hydraulic carbon wax or a photoresist on a patterning layer (5) formed on the surface of semiconductor substrate (1). The patterning layer is removed from substrate surface, after formation of metal layer covering patterning layer by sputtering deposition process, such that the patterning layer is covered by the metal layer and in the areas where the metal layer covers the patterning layer. The metal layer is peeled finally.
Inventor(s)
Patent Number
102010044350
Publication Date
2010
Language
German