Verfahren zum Abscheiden einer CdTe-Schicht auf einem Substrat

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden einer CdTe-Schicht auf einem Substrat (2) innerhalb einer Vakuumkammer (1) mittels physikalischer Gasphasenabscheidung, bei welcher das Substrat (2) vor dem Abscheideprozess auf eine Beschichtungstemperatur erwärmt und anschließend an mindestens einem Gefäß (3) vorbeigeführt wird, in welchem CdTe (4) in einen dampfförmigen Zustand überführt wird, wobei durch mindestens einen Einlass (5) eine gasförmige Komponente mit, einem erhöhtem Druck (gegenüber dem Vakuum in der Vakuumkammer) gegen die zu beschichtenden Oberfläche des Substrates (2) strömt, so dass die gasförmige Komponente an der zu beschichtenden Oberfläche des Substrates (2) adsorbiert, bevor das Substrat (2) an dem mindestens einen Gefäß (3) vorbeigeführt wird.