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Wafer- und Chipintegration mittels reaktiver CuO/Al Multilagensysteme

Integration on chip and wafer level based on reactive CuO/Al multilayer systems
 
: Vogel, K.; Hertel, S.; Bender, H.; Roscher, F.; Zimmermann, S.; Wiemer, M.

VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikro- und Feinwerktechnik -GMM-:
MikroSystemTechnik Kongress 2019 : Mikroelektronik - MEMS-MOEMS - Systemintegration - Säulen der Digitalisierung und künstlichen Intelligenz, 28. - 30. Oktober 2019, Berlin
Berlin: VDE-Verlag, 2019
ISBN: 978-3-8007-5090-0
ISBN: 978-3-8007-5129-7
S.28-31
MikroSystemTechnik Kongress <2019, Berlin>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer ENAS ()

Abstract
Das Paper stellt ein neues oxidbasiertes, integriertes reaktives Materialsystem (oiRMS) als Wärmequelle für Fügeanwendungen auf Chip- und Waferlevel vor. Aufbauend auf die Abscheidung und Strukturierung der CuO/Al-Multilagen auf 200 mm Siliziumsubstraten mittels Magnetron-Sputtern und Lift-Off-Prozessen, werden die Substrate auf Waferebene mit einem kommerziell verfügbaren, adaptierten Waferbonder gefügt. Ultraschallmikroskopische Analysen der Bondverbindung auf Waferlevel lassen für einen Schichtstapel von 18 x 80 nm CuO/Al auf eine gleichmäßige, wasserdichte Verbindung schließen. Die mechanische Bewertung der Bondverbidnungen liefert, in Abhängigkeit von den Fügepartnern, für Si-Si-Verbunde eine mittlere Scherfestigkeit von 118 N/mm2 und für Si-Glas-Verbunde eine mittlere Scherfestigkeit von 45 N/mm2.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-630066.html