Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2021Efficiency Potential Analysis of p- and n-Type Epitaxially Grown Si Wafers
Rittmann, C.; Dalke, J.; Drießen, M.; Weiss, C.; Schindler, F.; Sorgenfrei, R.; Schubert, M.C.; Janz, S.
Konferenzbeitrag
2021Passivated, Highly Reflecting, Laser Contacted Ge Rear Side for III-V Multi-Junction Solar Cells
Weiss, C.; Schön, J.; Höhn, O.; Fuhrmann, B.; Dimroth, F.; Janz, S.
Zeitschriftenaufsatz
2020Kerfless Wafering Approach with Si and Ge Templates for Si, Ge and III-V Epitaxy
Weiss, C.; Schreiber, W.; Drießen, M.; Sorgenfrei, R.; Liu, T.; Ohnemus, M.; Janz, S.
Konferenzbeitrag
2019Correlating Template Properties with the Quality of Epitaxially Grown Silicon Wafers
Drießen, M.; Fehrenbach, T.; Kirste, L.; Weiss, C.; Janz, S.
Konferenzbeitrag
2018Defects in Epitaxially Grown Silicon Wafers Causing Lifetime Patterns
Drießen, M.; Beu, P.; Heinz, F.D.; Fehrenbach, T.; Gust, E.; Schindler, F.; Janz, S.
Konferenzbeitrag
2018Optimization of inline processes for the production of freestanding epitaxially grown thin films for solar cells
Ivanov, Alexey; Sorgenfrei, R.; Gust, Elke; Barth, Philipp; Nieuwenhuysen, Kris van; Kühnhold-Pospischil, Saskia; Riepe, Stephan; Janz, Stefan
Konferenzbeitrag
2018Rapid vapor-phase direct doping for high-efficiency solar cells
Kühnhold-Pospischil, Saskia; Steinhauser, Bernd; Richter, Armin; Gust, Elke; Janz, Stefan
Zeitschriftenaufsatz
2017Origin and impact of crystallographic defects in epitaxially grown Si wafers
Janz, S.; Amiri, D.; Gust, E.; Kühnhold-Pospischil, S.; Riepe, S.; Heinz, F.; Drießen, M.
Konferenzbeitrag
2016Solar cells with 20% efficiency and lifetime evaluation of epitaxial wafers
Drießen, M.; Amiri, D.; Milenkovic, N.; Steinhauser, B.; Lindekugel, S.; Benick, J.; Reber, S.; Janz, S.
Zeitschriftenaufsatz
2011Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
Kallinger, Birgit
Dissertation