Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2015Accuracy of buffered-force QM/MM simulations of silica
Peguiron, A.; Colombi Ciacchi, L.; De Vita, A.; Kermode, J.R.; Moras, G.
Zeitschriftenaufsatz
2015Multiferroic grain boundaries in oxygen-deficient ferroelectric lead titanate
Shimada, T.; Wang, J.; Ueda, T.; Uratani, Y.; Arisue, K.; Mrovec, M.; Elsässer, C.; Kitamura, T.
Zeitschriftenaufsatz
2015Multiferroic vacancies at ferroelectric PbTiO3 surfaces
Shimada, T.; Wang, J.; Araki, Y.; Mrovec, M.; Elsasser, C.; Kitamura, T.
Zeitschriftenaufsatz
2014Modeling platinum diffusion in silicon
Badr, Elie; Pichler, Peter; Schmidt, Gerhard
Zeitschriftenaufsatz
2014Relaxation of vacancy depth profiles in silicon wafers: A low apparent diffusivity of vacancy species
Voronkov, Vladimir V.; Falster, Robert; Pichler, Peter
Zeitschriftenaufsatz
2014Vacancy defect formation in PA-MBE grown C-doped InN
Prozheeva, V.; Tuomisto, F.; Koblmüller, G.; Speck, J.S.; Knübel, A.; Aidam, R.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010Origin of the selective Cr oxidation in CoCr alloy surfaces
Zimmermann, J.; Ciacchi, L.C.
Zeitschriftenaufsatz
1996Luminescence properties of SrS:Ce thin films
Hüttl, B.; Velthaus, K.-O.; Troppenz, U.; Kreissl, J.; Mauch, R.H.
Konferenzbeitrag
1995Determination of vacancy concentration in float zone and Czochralski silicon
Jacob, M.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Gambaro, D.; Falster, R.
Konferenzbeitrag
1991Accurate measurement of the vacancy equilibrium concentration in silicon
Zimmermann, H.
Zeitschriftenaufsatz