Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2009Reliability and degradation mechanism of AlGaN/GaN HEMTs for next generation mobile communication systems
Dammann, M.; Pletschen, W.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Müller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Wel, P.J. van der; Murad, S.; Rödle, T.; Behtash, R.; Bourgeois, F.; Riepe, K.; Fagerlind, M.; Sveinbjörnsson, E.Ö.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2009Reliability of AlGaN/GaN HEMTs under DC- and RF-operation
Dammann, Michael; Cäsar, M.; Waltereit, Patrick; Bronner, Wolfgang; Konstanzer, Helmer; Quay, Rüdiger; Müller, Stefan; Mikulla, Michael; Ambacher, O.; Wel, P. van der; Rödle, T.; Behtash, R.; Bourgeois, F.; Riepe, K.
Konferenzbeitrag
2008Positive charge trapping induced by plasma charging damage in NMOS transistors
Sommer, S.P.; Paschen, U.; Vogt, H.
Konferenzbeitrag
2008Reliability and degradation mechanism of AlGaN/GaN HEMTs for next generation mobile communication systems
Dammann, M.; Pletschen, W.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Müller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Wel, P.J. van der; Murad, S.; Rödle, T.; Behtash, R.; Bourgeois, F.; Riepe, K.; Fagerlind, M.; Sveinbjörnsson, E.Ö.
Konferenzbeitrag
2001Low-temperature MBE growth and characteristics of InP-based AlInAs/GaInAs MQW structures
Künzel, H.; Biermann, K.; Nickel, D.; Elsaesser, T.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
1992Frequenzabhängige Kapazitäts-Spannungs-Messungen an Metall-Halbleiter-Randschichten
Steiner, K.
Zeitschriftenaufsatz