Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2018Current controlled CMOS stimulator with programmable pulse pattern for a retina implant
Raffelberg, Pascal; Burkard, Roman; Viga, Reinhard; Mokwa, Wilfried; Walter, Peter; Grabmaier, Anton; Kokozinski, Rainer
Konferenzbeitrag
2018GaN-based high electron mobility transistors with high Al-content barriers
Godejohann, Birte-Julia
: Paul, Oliver; Ambacher, Oliver; Fiederle, M.
Dissertation
2018GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors
Ture, Erdin
Dissertation
2017The role of charge trapping in AlGaN/GaN-on-Si HEMT based power switches
Wespel, Matthias
: Wagner, Joachim; Lausen, G.; Ambacher, O.; Schwierz, F.
Dissertation
2011Quaternary barriers for improved performance of GaN-based HEMTs
Lim, T.; Aidam, R.; Waltereit, P.; Pletschen, W.; Quay, R.; Kirste, L.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Ternäre und quaternäre Barrierenmaterialien für nitridische Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
Lim, T.
Dissertation
2010Design of near lattice-matched AlGaInN-barriers for highly-scalable GaN-based transistor structures
Lim, T.; Aidam, R.; Kirste, L.; Waltereit, P.; Müller, S.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010Fabrication of n- and p-type organic thin film transistors with minimized gate overlaps by self-aligned nanoimprinting
Palfinger, U.; Auner, C.; Gold, H.; Haase, A.; Kraxner, J.; Haber, T.; Sezen, M.; Grogger, W.; Domann, G.; Jakopic, G.; Krenn, J.R.; Stadlober, B.
Zeitschriftenaufsatz
2010GaN-based submicrometer HEMTs with lattice-matched InAlGaN barrier grown by MBE
Lim, T.; Aidam, R.; Waltereit, P.; Henkel, T.; Quay, R.; Lozar, R.; Maier, T.; Kirste, L.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2010Structural properties of MBE AlInN and AlGaInN barrier layers for GaN-HEMT structures
Kirste, L.; Lim, T.; Aidam, R.; Müller, S.; Waltereit, P.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2008High-efficiency GaN HEMTs on 3-inch semi-insulating SiC substrates
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Müller, S.; Kiefer, R.; Raynor, B.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2008A uniform, reproducible and reliable GaN HEMT technology with breakdown voltages in excess of 160 V delivering more than 60% PAE at 80 V
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Müller, S.; Kiefer, R.; Walcher, H.; Raay, F. van; Kappeler, O.; Mikulla, M. et al.
Konferenzbeitrag
2008UV nanoimprint lithography process optimization for electron device manufacturing on nanosized scale
Schmitt, H.; Amon, B.; Petersen, S.; Rommel, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Poster
2007A systematic state-space approach to large-signal transistor modeling
Seelmann-Eggebert, M.; Merkle, T.; Raay, F. van; Quay, R.; Schlechtweg, M.
Zeitschriftenaufsatz
2005High power/high bandwidth GaN MMICs and hybrid amplifiers: Design and characterization
Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Müller, S.; Walcher, H.; Seelmann-Eggebert, M.; Kappeler, O.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005Passivation of III-V-based compound semiconductor devices using high-density plasma deposited silicon nitride films
Sah, R.E.; Mikulla, M.; Schneider, H.; Benkhelifa, F.; Dammann, M.; Quay, R.; Fleißner, J.; Walther, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2003AlGaN/GaN HEMTs on SiC: Towards power operation at V-band
Quay, R.; Tessmann, A.; Kiefer, R.; Weber, R.; Raay, F. van; Kuri, M.; Riessle, M.; Massler, H.; Müller, S.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1997DC Tieftemperaturcharakterisierung von HEMTs
Fischer, S.
Diplomarbeit
1996Modeling and characterization of a radiation sensitive p-channel transistor in a floating n-well
Erlebach, A.; Streil, T.; Richter, F.; Stephan, R.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
1995Modeling and characterization of a radiation sensitive p-channel transistor in a floating n-well
Erlebach, A.; Streil, T.; Richter, F.; Stephan, R.
Konferenzbeitrag
199328-51 GHz dynamic frequency divider based on 0.15 mym T-gate Al0.2Ga0.8As/In0.25Ga0.75As MODFETs.
Thiede, A.; Tasker, P.J.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Bronner, W.; Schlechtweg, M.; Berroth, M.; Braunstein, J.; Nowotny, U.
Zeitschriftenaufsatz
1993Physikalisch-technologische Untersuchungen zu Kurzkanaltransistoren für die Megabittechnologie
Raab, M.
Dissertation
1992Einsatz der Modellierung und Simulation in der Entwicklung von Sensoren. Lichtempfindliche Sensoren auf CMOS-Basis
Erlebach, A.; Stephan, R.
Konferenzbeitrag
1992Initial observations of optical injection locking of oscillators using heterojunction bipolar transistors.
Bangert, A.; Lauterbach, T.
Zeitschriftenaufsatz
1983Bulk-barrier transistor
Mader, H.; Mueller, R.; Beinvogel, W.
Zeitschriftenaufsatz