Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2019High-power (>2 W) E-band PA MMIC based on high efficiency GaN-HEMTs with optimized buffer
Ture, Erdin; Leone, Stefano; Brueckner, Peter; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2019Millimeter-wave single-pole double-throw switches based on a 100-nm gate-length AlGaN/GaN-HEMT technology
Thome, Fabian; Brueckner, Peter; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018Highly isolating and broadband single-pole double-throw switches for millimeter-wave applications up to 330 GHz
Thome, Fabian; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018W-band SPDT switches in planar and tri-gate 100-nm gate-length GaN-HEMT technology
Thome, Fabian; Ture, Erdin; Brueckner, Peter; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2016Prospects and limitations of stacked-FET approaches for enhanced output power in voltage-controlled oscillators
Thome, F.; Maroldt, S.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2015High-voltage stress time-dependent dispersion effects in AlGaN/GaN HEMTs
Wespel, M.; Dammann, M.; Polyakov, V.; Reiner, R.; Waltereit, P.; Weiss, B.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Low-power wireless data transmitter MMIC with data rates up to 25 Gbit/s and 9.5mW power consumption using a 113 GHz carrier
Thome, F.; Leuther, A.; Maroldt, S.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Saving energy by means of dynamic load management in embedded multicore systems
Becker, Matthias; Schmidt, Adriaan; Orehek, Martin; Nolte, Thomas
Konferenzbeitrag
2013GaN-based high voltage transistors for efficient power switching
Waltereit, P.; Reiner, R.; Czap, H.; Peschel, D.; Müller, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Monolithic RC-snubber for power electronic applications
Dorp, Joachim vom; Berberich, Sven E.; Erlbacher, Tobias; Bauer, Anton J.; Ryssel, Heiner; Frey, Lothar
Konferenzbeitrag
2009Susceptibility of network components to pulsed medium power microwave fields
Braun, C.; Clemens, P.; Schmidt, H.U.; Suhrke, M.; Taenzer, A.
Konferenzbeitrag
2002Laser joining of glass with silicon
Witte, R.; Herfurth, H.; Heinemann, S.
Konferenzbeitrag
1998ATLANTIC audio. Switching Layer-3 signals
Lauber, P.; Gilchrist, N.
Tagungsband
1997Coplanar switches in PHEMT technology from X- to W-Band
Züfle, K.; Haydl, W.; Massler, H.; Bosch, R.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
1994Improved passive model for transient prediction of GaAs E/D MESFET analogue switches
Feng, S.; Seitzer, D.
Zeitschriftenaufsatz
1992Charakterisierung und Modellierung des Übergangsverhaltens von Analogschaltern mit GaAs-E/D-MESFET
Feng, S.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.
Konferenzbeitrag
1992Entwurf von GaAs-MESFET-Analogschaltern für Abtastschaltungen
Feng, S.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.
Konferenzbeitrag