Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2011Reactor dependent starting transients of doping profiles in MOVPE grown GaN
Köhler, K.; Gutt, R.; Müller, S.; Wiegert, J.; Menner, H.; Kirste, L.; Protzmann, H.; Heuken, M.
Zeitschriftenaufsatz
2008SIMS depth profiling of Mg back-diffusion in (AlGaIn)N light-emitting diodes
Kirste, L.; Köhler, K.; Maier, M.; Kunzer, M.; Maier, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2000Superior depth resolution of indium in (Al, In, Ga) N structures
Maier, M.; Müller, S.; Ramakrishnan, A.
Konferenzbeitrag
1998Be and Si migration in AlGaAs/GaAs heterostructures during molecular beam epitaxy
Maier, M.; Gaymann, A.
Konferenzbeitrag
1994Practical aspects of ion beam analysis of semiconductor structures
Frey, L.; Pichler, P.; Kasko, I.; Thies, I.; Lipp, S.; Streckfuß, N.; Gong, L.
Zeitschriftenaufsatz
1993Nucleation, relaxation and redistribution of Si layers in GaAs.
Brandt, O.; Crook, G.; Ploog, K.; Bierwolf, R.; Hohenstein, M.; Maier, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1992Compositional analysis of MBE pseudomorphic InGaAs/AlGaAs/GaAs structures by determination of film thickness with SIMS
Höpner, A.; As, D.J.; Köhler, K.; Maier, M.
Konferenzbeitrag
1991Interdiffusion in Pb1-xEuxSe/PbSe multi-quantum-well structures
Springholz, G.; Holzinger, A.; Krenn, H.; Clemens, H.; Bauer, G.; Norton, P.; Böttner, H.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz