Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2010Electrical characterization and reliability of nitrided-gate insulators for N- and P-type 4H-SiC MIS devices
Noborio, M.; Grieb, M.; Bauer, A.J.; Peters, D.; Friedrichs, P.; Suda, J.; Kimoto, T.
Konferenzbeitrag
1999Reliability of ultra-thin gate oxides grown in low-pressure N20 ambient or on nitrogen-implanted silicon
Bauer, A.J.; Beichele; Herden, M.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1998Influence of RTP on Vacancy Concentrations
Jacob, M.; Pichler, P.; Wohs, M.; Ryssel, H.; Falster, R.
Aufsatz in Buch
1997Observation of vacancy enhancement during rapid thermal annealing in nitrogen
Jacob, M.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Falster, R.; Cornara, M.; Gambaro, D.; Olmo, M.; Pagani, M.
Zeitschriftenaufsatz
1997Vacancy-assisted oxygen precipitation phenomena in Si
Falster, R.; Pagani, M.; Gambaro, D.; Cornara, M.; Olmo, M.; Ferrero, G.; Pichler, P.; Jacob, M.
Zeitschriftenaufsatz
1996High quality 4 nm gate dielectrics prepared at low pressure in oxygen oxide atmospheres
Bauer, A.J.; Burte, E.P.
Konferenzbeitrag
1995Schnelle thermische Prozessierung und Charakterisierung dünner nitridierter Oxide
Bauer, A.J.
Dissertation