Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2018Comparison of CDM and CC-TLP robustness for an ultra-high speed interface IC
Weber, Johannes; Fung, Rita; Wong, Richard; Wolf, Heinrich; Gieser, A. Horst; Maurer, Linus
Konferenzbeitrag
2018Current controlled CMOS stimulator with programmable pulse pattern for a retina implant
Raffelberg, Pascal; Burkard, Roman; Viga, Reinhard; Mokwa, Wilfried; Walter, Peter; Grabmaier, Anton; Kokozinski, Rainer
Konferenzbeitrag
2017Effect of substrate termination on switching loss and switching time using 600 V GaN-on-Si HEMTs with integrated gate driver in half-bridges
Mönch, Stefan; Reiner, Richard; Weiss, Beatrix; Waltereit, Patrick; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver; Kallfass, Ingmar
Konferenzbeitrag
2016Prospects and issues of nanomaterials use in microelectronics
Jank, Michael; Bauer, Anton; Frey, Lothar
Poster
2013Terahertz sensing with meta-surfaces and integrated circuits
Reinhard, B.; Schmitt, K.; Fip, T.; Volk, M.; Neu, J.; Mahro, A.-K.; Beigang, R.; Rahm, M.
Konferenzbeitrag
2012Significant on-resistance reduction of LDMOS devices by intermitted trench gates integration
Erlbacher, Tobias; Bauer, Anton J.; Frey, Lothar
Zeitschriftenaufsatz
2011Assessment of the accuracy of cure kinetics models and fitting approaches utilised in analysis of microelectronics encapsulation materials
Tilford, Tim; Ferenets, Marju; Adamietz, Raphael; Pavuluri, Sumanth Kumar; Desmulliez, Marc P.Y.; Bailey, Chris
Konferenzbeitrag
2009A 200 GHz monolithic integrated power amplifier in metamorphic HEMT technology
Kallfass, I.; Pahl, P.; Massler, H.; Leuther, A.; Tessmann, A.; Koch, S.; Zwick, T.
Zeitschriftenaufsatz
2009Actuators to be integrated in low temperature cofired ceramics (LTCC) microfluidic systems
Klumbies, H.; Partsch, U.; Goldberg, A.; Gebhardt, S.; Keitel, U.; Neubert, H.
Konferenzbeitrag
2008100 Gbit/s fully integrated InP DHBT-based CDR/1:2 DEMUX IC
Makon, R.E.; Driad, R.; Lösch, R.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
2008A 210 GHz dual-gate FET mixer MMIC with > 2 dB conversion gain, high LO-to-RF isolation, and low LO-drive requirements
Kallfass, I.; Massler, H.; Leuther, A.; Tessmann, A.; Schlechtweg, M.
Zeitschriftenaufsatz
2008Metamorphic HEMT MMICs and modules for use in a high-bandwidth 210 GHz radar
Tessmann, A.; Kallfass, I.; Leuther, A.; Massler, H.; Kuri, M.; Riessle, M.; Zink, M.; Sommer, R.; Wahlen, A.; Essen, H.; Hurm, V.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2006A high dynamic range current-mode amplifier for computed tomography
Steadman, R.; Vogtmeier, G.; Kemna, A.; Ibnou Quossai, S.; Hosticka, B.J.
Zeitschriftenaufsatz
2006InP DHBT based IC technology for over 80 Gbit/s data communications
Driad, R.; Makon, R.E.; Schneider, K.; Nowotny, U.; Aidam, R.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2004Frontiers of III-V compounds and devices
Würfl, J.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
2003Early mask making during the 1960's in Dresden
Becker, H.W.
Konferenzbeitrag
2000Integrated circuit design and application for electronic ballasts
Radecker, M.
Konferenzbeitrag
1999Optical signal and energy transmission for a retina implant
Groß, M.; Buß, R.; Köhler, K.; Schaub, J.; Jäger, D.
Konferenzbeitrag
1999A Planning and Control Model for Customer-Oriented IC Development and Manufacturing
Frauenhoffer, F.; Sturm, R.; Mönch, G.; Podewils, M. von; Richter, K.; Schmalfuß, V.
Zeitschriftenaufsatz
1998Suppression of dopant redistribution in AlGaAs/GaAs laser-HEMT structures for optoelectronic transmitters grown by molecular beam epitaxy
Gaymann, A.; Maier, M.; Köhler, K.; Bronner, W.; Grotjahn, F.; Hornung, J.; Ludwig, M.
Konferenzbeitrag
199725 Gb/s AGC amplifier, 22 GHz transimpedance amplifier and 27.7 GHz limiting amplifier ICs using AlGaAs/GaAs-HEMTs
Lao, Z.; Berroth, M.; Hurm, V.; Thiede, A.; Bosch, R.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Moglestue, C.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
199745 Gbit/s AlGaAs/GaAs HEMT multiplexer IC
Lao, Z.; Nowotny, U.; Thiede, A.; Hurm, V.; Kaufel, G.; Rieger-Motzer, M.; Bronner, W.; Seibel, J.; Hülsmann, A.
Zeitschriftenaufsatz
1997Coplanar amplifiers up to W-band using InP-based dual-gate HEMTs
Baeyens, Y.; Zanden, K. van der; Schreurs, D.; Nauwelaers, B.; Hove, M. van; Rossum, M. van; Braunstein, J.
Konferenzbeitrag
1997Sub-nanosecond access time 2k sine-cosine ROM in AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well HEMT technology
Thiede, A.; Bushehri, E.; Nowotny, U.; Rieger-Motzer, M.; Sedler, M.; Bronner, W.; Hornung, J.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
199610 and 20 Gbit/s clock recovery GaAs IC with 288 deg phase-shifting function
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
199620-40 Gbit/s 0.2 mu m GaAs HEMT chip set for optical data receiver
Berroth, M.; Lang, M.; Wang, Z.-G.; Lao, Z.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Bronner, W.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Hülsmann, A.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
1996Monolithic 10 channel 10 Gbit/s amplifier array using 0.3 mu m AlGaAs/GaAs-HEMTs
Lao, Z.; Berroth, M.; Hurm, V.; Ludwig, M.; Bronner, W.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1996Novel chips for the communication age-joint effort on III-V electronics a success
Diehl, R.
Zeitschriftenaufsatz
199510 Gbit/s monolithic optoelectronic integrated receiver with clock recovery, data decision and 1:4 demultipexer
Wang, Z.-G.; Hurm, V.; Lang, M.; Berroth, M.; Ludwig, M.; Fink, T.; Köhler, K.; Raynor, B.
Konferenzbeitrag
199419 GHz monolithic integrated clock recovery using PLL and 0.3 mym gate-length quantum-well HEMTs.
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Seibel, J.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
19947.5 Gb/s monolithically integrated clock recovery circuit using PLL and 0.3 micro-meter gate length well HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Nowotny, U.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1994Characterization and Improvement of GaAs HEMT Analog Switches for Sampled-Data Applications
Feng, S.; Seitz, D.
Zeitschriftenaufsatz
1994CMOS sensors applied to surface-water monitoring
Kordas, N.
Zeitschriftenaufsatz
1994Mikrosensoren für Elektrolyte
Kordas, N.
Zeitschriftenaufsatz
19937.4 Gbit/s monolithically integrated GaAs/AlGaAs laser diode-laser driver structure.
Hornung, J.; Wang, Z.-G.; Bronner, W.; Olander, E.; Köhler, K.; Ganser, P.; Raynor, B.; Benz, W.; Ludwig, M.
Zeitschriftenaufsatz
1993A CMOS bandgap reference for low voltage applications
Hammerschmidt, D.; Nielsen, P.A.; Schnatz, F.V.; Brockherde, W.; Hosticka, B.J.
Konferenzbeitrag
1993Integrated laser-diode voltage driver for 20-Gb/s optical systems using 0.3-mym gate length quantum-well HEMT's.
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Nowotny, U.; Ludwig, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1993Intelligente Sensoren auf dem Weg zum ASIC
Vogt, H.
Zeitschriftenaufsatz
1993Materialfluß bei Clustertools
Bader, U.
Konferenzbeitrag
1993Mehrlagenmetallisierung für hochintegrierte mikroelektronische Schaltungen
Vogt, H.
Habilitationsschrift
1993New results of field-induced deformation of nematic liquid crystals for testing of digital integrated circuits
Wieberneit, M.; Lackmann, R.
Konferenzbeitrag
199215 Gbit/s integrated laser diode driver using 0,3 mym gate length quantum well transistors.
Nowotny, U.; Gotzeina, W.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Wang, Z.-G.
Zeitschriftenaufsatz
199218 Gbit/s monolithically integrated 2 to 1 multiplexer and laser driving using 0.3 mym gate length quantum well hemt's.
Nowotny, U.; Bronner, W.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K.; Wang, Z.-G.
Zeitschriftenaufsatz
1992KUSET, knowledge based user support for electron beam testing
Lackmann, R.; Weichert, G.
Konferenzbeitrag
1992Multigigahertz varactorless Si bipolar VCO IC.
Wang, Z.-G.
Zeitschriftenaufsatz
1991Flexible Layout-Synthese für analoge Schaltungen
Büddefeld, J.; Meyer zu Bexten, V.; Moraga, C.
Konferenzbeitrag
1990A digital output monolithic temperature sensor for invasive applications
Eichholz, J.; Kordas, N.; Langerbein, A.; Manoli, Y.; Mokwa, W.
Konferenzbeitrag
1989Submicron silicon bipolar master-slave D-type flip-flop for use ad 8.1 Gbit/s decision circuit and 11.2 Gbit/s demultiplexer
Runge, K.; Glimett, J.L.; Way, W.; Kipnis, I.; Snapp, C.; Clawin, D.; Cheung, N.K.
Zeitschriftenaufsatz