Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2015Vertical buffer leakage and temperature effects on the breakdown performance of GaN/AlGaN HEMTs on Si substrate
Benkhelifa, F.; Müller, S.; Polyakov, V.M.; Breuer, S.; Czap, H.; Manz, C.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011A 10-GS/s multibit delta-sigma analog-to-digital converter in an InP HBT technology
Kraus, S.; Kallfass, I.; Makon, R.E.; Driad, R.; Moyal, M.; Ritter, D.
Konferenzbeitrag
2011A 20-GHz bipolar latched comparator with improved sensitivity implemented in InP HBT technology
Kraus, S.; Kallfass, I.; Makon, R.E.; Driad, R.; Moyal, M.; Ritter, D.
Zeitschriftenaufsatz
2010Crystallographic orientation effects on the performance of InP-based heterojunction bipolar transistors
Driad, R.; Lösch, R.; Benkhelifa, F.; Kuri, M.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
2007Distributed amplifier MMIC with 21 dB gain and 90 GHz bandwidth using InP-based DHBTs
Schneider, K.; Driad, R.; Makon, R.E.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005Comparison of InP/InGaAs DHBT distributed amplifiers as modulator drivers for 80-Gbit/s operation
Schneider, K.; Driad, R.; Makon, R.E.; Massler, H.; Ludwig, M.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2005InP/InGaAs-DHBT distributed amplifier MMICs exceeding 80 GHz bandwidth
Schneider, K.; Driad, R.; Makon, R.E.; Tessmann, A.; Aidam, R.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2001Industrial application of heterostructure device simulation
Palankovski, V.; Quay, R.; Selberherr, S.
Zeitschriftenaufsatz
2001Optimization of High-Speed SiGe HBTs
Palankovski, V.; Röhrer, G.; Wachmann, E.; Kraft, J.; Löffler, B.; Cervenka, J.; Quay, R.; Grasser, T.; Selberherr, S.
Konferenzbeitrag
2001A review of modeling issues for RF heterostructure device simulation
Quay, R.; Schultheis, R.; Kellner, W.; Palankovski, V.; Selberherr, S.
Konferenzbeitrag
1999S-parameter simulation of HBTs on Gallium-Arsenide
Palankovski, V.; Quay, R.; Selberherr, S.; Schultheis, R.
Konferenzbeitrag
1993High speed selfaligned GaInP/GaAs HBBTs.
Leier, H.; Marten, A.; Pletschen, W.; Tasker, P.J.; Bachem, K.H.
Zeitschriftenaufsatz
1991Emitter-base electron transport in GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors and tunnel emitter bipolar transistors.
Bachem, K.H.; Pletschen, W.; Lauterbach, T.; Shur, M.
Konferenzbeitrag
1989Implanted-collector InGaAsP/InP heterojunction bipolar transistor
Su, L.M.; Grote, N.; Schumacher, P.; Franke, D.
Konferenzbeitrag