Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2005Comparison of InP/InGaAs DHBT distributed amplifiers as modulator drivers for 80-Gbit/s operation
Schneider, K.; Driad, R.; Makon, R.E.; Massler, H.; Ludwig, M.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2005InP/InGaAs-DHBT distributed amplifier MMICs exceeding 80 GHz bandwidth
Schneider, K.; Driad, R.; Makon, R.E.; Tessmann, A.; Aidam, R.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2004Frontiers of III-V compounds and devices
Würfl, J.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
2003High-speed III-V HEMT and HBT devices and circuits for ETDM transmission beyond 80 Gbit/s
Quay, R.; Schlechtweg, M.; Leuther, A.; Lang, M.; Nowotny, U.; Kappeler, O.; Benz, W.; Ludwig, M.; Leich, M.; Driad, R.; Bronner, W.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2001Industrial application of heterostructure device simulation
Palankovski, V.; Quay, R.; Selberherr, S.
Zeitschriftenaufsatz
2001Optimization of High-Speed SiGe HBTs
Palankovski, V.; Röhrer, G.; Wachmann, E.; Kraft, J.; Löffler, B.; Cervenka, J.; Quay, R.; Grasser, T.; Selberherr, S.
Konferenzbeitrag
2001A review of modeling issues for RF heterostructure device simulation
Quay, R.; Schultheis, R.; Kellner, W.; Palankovski, V.; Selberherr, S.
Konferenzbeitrag
2000Analysis of HBT behavior after strong electrothermal stress
Palankovski, V.; Selberherr, S.; Quay, R.; Schultheis, R.
Konferenzbeitrag
2000Industrial application of heterostructure device simulation
Palankovski, V.; Quay, R.; Selberherr, S.
Konferenzbeitrag
1997A physical, yet simple, small-signal equivalent circuit for the heterojunction bipolar transistor
Gobert, Y.; Tasker, P.J.; Bachem, K.H.
Zeitschriftenaufsatz
1995Ein elektrothermisches Heterobipolar-Transistormodell zur Schaltungssimulation
Baureis, P.
Dissertation
1994Electrothermal modeling of multi-emitter heterojunction-bipolartransistors (HBTs)
Baureis, P.
Konferenzbeitrag
1994GaAs for ADCs. System needs and device requirements
Sauerer, J.; Oehler, F.; Rohmer, G.; Schlag, U.
Konferenzbeitrag
1994High performance GaInP/GaAs hole barrier bipolar transistors -HBBTs-
Leier, H.; Schaper, U.; Bachem, K.H.
Konferenzbeitrag
1994Influence of annealing on electron lifetimes in transistor base-layers on GaAs-C
Strauss, U.; Heberle, A.P.; Rühle, W.W.; Tews, H.; Lauterbach, T.; Bachem, K.H.
Konferenzbeitrag
1994K-band dielectric resonator oscillator using a GaInP/GaAs HBT
Güttich, U.; Leier, H.; Marten, A.; Riepe, K.; Pletschen, W.; Bachem, K.H.
Konferenzbeitrag
1993High speed selfaligned GaInP/GaAs HBBTs.
Leier, H.; Marten, A.; Pletschen, W.; Tasker, P.J.; Bachem, K.H.
Zeitschriftenaufsatz
1993Monolithic high gain DC to 10 GHz direct coupled feedback transimpedance amplifier unsing AlGaAs / GaAs HBTs
Baureis, P.; Göttler, D.; Oehler, F.; Zwicknagel, P.
Konferenzbeitrag
1993Parameter extraction for HBT's temperature dependent large signal equivalent circuit model
Baureis, P.; Seitzer, D.
Konferenzbeitrag
1992GaAs bipolar transistors with a Ga0.5In0.5P hole barrier layer and carbon-doped base grown by MOVPE.
Bachem, K.H.; Lauterbach, T.; Pletschen, W.
Zeitschriftenaufsatz
1992High speed non-selfaligned GaInP/GaAs-TEBT.
Zwicknagl, P.; Schaper, U.; Schleicher, L.; Siweris, H.; Bachem, K.H.; Lauterbach, T.; Pletschen, W.
Zeitschriftenaufsatz
1992MOVPE growth, technology and characterization of Ga0.5In0.5P/GaAs heterojunction bipolar transistors
Bachem, K.H.; Pletschen, W.; Winkler, K.; Lauterbach, T.; Maier, M.
Konferenzbeitrag
1992A novel GaAs bipolar transistor structure with GaInP-hole injection blocking barrier.
Pletschen, W.; Bachem, K.H.; Lauterbach, T.
Konferenzbeitrag
1991A 4 Gs/s comparator fabricated in an AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar process
Cepl, F.; Baureis, P.; Seitzer, D.; Zwicknagel, P.
Konferenzbeitrag
1991Emitter-base electron transport in GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors and tunnel emitter bipolar transistors.
Bachem, K.H.; Pletschen, W.; Lauterbach, T.; Shur, M.
Konferenzbeitrag
1991Large signal HBT model for TECAP
Baureis, P.
Zeitschriftenaufsatz
1991Modeling of self-heating in GaAs/AlGaAs HBT's for accurate circuit and device analysis
Baureis, P.; Seitzer, D.; Schaper, U.
Konferenzbeitrag
1991A new large signal model for heterojunction bipolar transistors including temperature effects
Baureis, P.; McKinley, W.; Seitzer, D.
Konferenzbeitrag
1989Implanted-collector InGaAsP/InP heterojunction bipolar transistor
Su, L.M.; Grote, N.; Schumacher, P.; Franke, D.
Konferenzbeitrag