Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2018A delamination strategy for thinly layered defect-free high-mobility black phosphorus flakes
Yang, Sheng; Zhang, Ke; Ricciardulli, Antonio Gaetano; Zhang, Panpan; Liao, Zhongquan; Lohe, Martin R.; Zschech, Ehrenfried; Blom, Paul W.M.; Pisula, Wojciech; Müllen, Klaus; Feng, Xinliang
Zeitschriftenaufsatz
2018Gating hysteresis as an indicator for silicon nanowire FET biosensor
Ibarlucea, Bergoi; Römhildt, Lotta; Zörgiebel, Felix; Pregl, Sebastian; Vahdatzadeh, Maryam; Weber, Walter M.; Mikolajick, Thomas; Opitz, Jörg; Baraban, Larysa; Cuniberti, Gianaurelio
Zeitschriftenaufsatz
2017Human α-thrombin detection platform using aptamers on a silicon nanowire field-effect transistor
Römhildt, Lotta; Zörgiebel, Felix; Ibarlucea, Bergoi; Vahdatzadeh, Maryam; Baraban, Larysa; Cuniberti, Gianaurelio; Pregl, Sebastian; Weber, Walter M.; Mikolajick, Thomas; Opitz, Jörg
Konferenzbeitrag
2011Dual-gate GaN MMICs for MM-wave operation
Quay, R.; Tessmann, A.; Kiefer, R.; Maroldt, S.; Haupt, C.; Nowotny, U.; Weber, R.; Massler, H.; Schwantuschke, D.; Seelmann-Eggebert, M.; Leuther, A.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Electron and hole accumulation in InN/InGaN heterostructures
Lebedev, V.; Polyakov, V.M.; Knübel, A.; Aidam, R.; Kirste, L.; Cimalla, V.; Granzner, R.; Schwierz, F.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010A novel functionalization of AlGaN/GaN-pH-ISFETs for DNA-sensors
Linkohr, S.; Schwarz, S.U.; Krischok, S.; Lorenz, P.; Nakamura, T.; Polyakov, V.M.; Cimalla, V.; Nebel, C.E.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2005A coplanar X-band AlGaN/GaN power amplifier MMIC on s.i. SiC substrate
Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Benkhelifa, F.; Raynor, B.; Pletschen, W.; Kuri, M.; Massler, H.; Müller, S.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
199328-51 GHz dynamic frequency divider based on 0.15 mym T-gate Al0.2Ga0.8As/In0.25Ga0.75As MODFETs.
Thiede, A.; Tasker, P.J.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Bronner, W.; Schlechtweg, M.; Berroth, M.; Braunstein, J.; Nowotny, U.
Zeitschriftenaufsatz
1992Broadband low-power amplifier with high gain and mixer modes using quantum-well GaAs FET technology.
Reinert, W.; Hülsmann, A.; Schneider, J.; Bosch, R.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Wennekers, P.
Zeitschriftenaufsatz
1992Charakterisierung und Modellierung des Übergangsverhaltens von Analogschaltern mit GaAs-E/D-MESFET
Feng, S.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.
Konferenzbeitrag
199114 GHz low-power highly sensitive static frequency divider using quantum well AlGaAs/GaAs/AlGaAs FET technology.
Wennekers, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1991Monte Carlo particle simulation of radiation-induced heating in GaAs field-effect transistors.
Buot, F.A.; Anderson, T.; Moglestue, C.
Zeitschriftenaufsatz
1990Monte Carlo particle study of transport along the hetero interface in a field-effect transistor.
Moglestue, C.
Zeitschriftenaufsatz