Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2013Stark level analysis of the spectral line shape of electronic transitions in rare earth ions embedded in host crystals
Steinkemper, H.; Fischer, S.; Hermle, M.; Goldschmidt, J.C.
Zeitschriftenaufsatz
2009Erbium- and chlorine-doped fluorozirconate-based glasses for up-converted fluorescence
Henke, B.; Ahrens, B.; Miclea, P.T.; Eisenschmidt, C.; Johnson, J.A.; Schweizer, S.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2005Photoluminescence study of In-situ rare earth doped PVT-grown SiC single crystals
Schmitt, H.; Müller, R.; Maier, M.; Winnacker, A.; Wellmann, P.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
1996Frequency stability of absolute optical frequency references distributed over 200 km of fibre for use in large-scale HDWDM systems
Fischer, U.H.P.; Gladisch, A.; Giehmann, L.
Konferenzbeitrag
1988A zeeman study of the 1.54 micrometer transition in molecular beam epitaxial GaAs-Er.
Thonke, K.; Hermann, H.U.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1987Electron spin resonance of erbium in gallium arsenide
Baeumler, M.; Schneider, J.; Köhl, F.; Tomzig, E.
Zeitschriftenaufsatz
1987Erbium doping of molecular beam epitaxial GaAs
Smith, R.S.; Müller, H.D.; Wennekers, P.; Maier, M.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz
1987Photo- and electroluminescence investigation of rare earth ions in III-V semiconductors
Ennen, H.
Konferenzbeitrag
1986Polarized anisotropic photoluminescence of laser-related transitions in YAIO3/Nd and YAIO3/ER and line broadening by resonant lattice phonons
Dischler, B.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz
19851.54-micro m electroluminescence of erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy.
Pomrenke, G.; Axmann, A.; Schneider, J.; Eisele, K.M.; Haydl, W.H.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz