Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2020The impact of dislocations on AlGaN/GaN Schottky diodes and on gate failure of high electron mobility transistors
Besendörfer, S.; Meissner, E.; Medjoub, F.; Derluyn, J.; Friedrich, J.; Erlbacher, T.
Zeitschriftenaufsatz
2020Interplay between C-doping, threading dislocations, breakdown, and leakage in GaN on Si HEMT structures
Besendörfer, S.; Meissner, E.; Zweipfennig, T.; Yacoub, H.; Fahle, D.; Behmenburg, H.; Kalisch, H.; Vescan, A.; Friedrich, J.; Erlbacher, T.
Zeitschriftenaufsatz
2018Broadband GaN-based power amplifier MMIC and module for V-band measurement applications
Schwantuschke, Dirk; Brueckner, Peter; Amirpour, Raul; Tessmann, Axel; Kuri, Michael; Rießle, Markus; Massler, Hermann; Quay, Rüdiger
Konferenzbeitrag
2016GaN-based E-band power amplifier modules
Schwantuschke, D.; Henneberger, R.; Wagner, S.; Tessmann, A.; Kallfass, I.; Brueckner, P.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Source/load pull investigation of AlGaN/GaN power transistors with ultra-high efficiency
Carrubba, V.; Quay, R.; Maroldt, S.; Musser, M.; Raay, F. van; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013High-gain millimeter-wave AlGaN/GaN transistors
Schwantuschke, D.; Brueckner, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz