Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2017Calcium fluoride based multifunctional nanoparticles for multimodal imaging
Straßer, Marion; Schrauth, Joachim H.X.; Dembski, Sofia; Haddad, Daniel; Ahrens, Bernd; Schweizer, Stefan; Christ, Bastian; Cubukova, Alevtina; Metzger, Marco; Walles, Heike; Jakob, Peter M.; Sextl, Gerhard
Zeitschriftenaufsatz
2016Photostimulated luminescence properties of neutron image plates
Popov, Anatoli I.; Zimmermann, Jörg; McIntyre, Garry J.; Wilkinson, Clive
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2014Defektlumineszenz in 4H-SiC
Kaminzky, Daniel; Kallinger, Birgit; Berwian, Patrick; Friedrich, Jochen; Oppel, Steffen; Schütz, Michael
Vortrag
2009Carrier mass measurements in degenerate indium nitride
Pettinari, G.; Polimeni, A.; Capizzi, M.; Blokland, J.H.; Christianen, P.C.M.; Maan, J.C.; Lebedev, V.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2008Experimental evidence of different hydrogen donors in n-type InN
Pettinari, G.; Masia, F.; Capizzi, M.; Polimeni, A.; Losurdo, M.; Bruno, G.; Kim, T.H.; Choi, S.; Brown, A.; Lebedev, V.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2008Growth of thick films CdTe from the vapor phase
Sorgenfrei, R.; Greiffenberg, D.; Bachem, K.H.; Kirste, L.; Zwerger, A.; Fiederle, M.
Zeitschriftenaufsatz
2008Well width dependent luminescence characteristics of UV-violet emitting GaInN QW LED structures
Kunzer, M.; Leancu, C.-C.; Maier, M.; Köhler, K.; Kaufmann, U.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2007Electronic and thermal properties of Sb-based QCLs operating in the first atmospheric window
Vitiello, M.S.; Scamarcio, G.; Spagnolo, V.; Yang, Q.K.; Manz, C.; Wagner, J.; Revin, D.G.; Cockburn, J.
Konferenzbeitrag
2007Measurement of the internal quantum efficiency of InGaN quantum wells
Laubsch, A.; Sabathil, M.; Bruederl, G.; Wagner, J.; Strassburg, M.; Baur, E.; Braun, H.; Schwarz, U.T.; Lell, A.; Lutgen, S.; Linder, N.; Oberschmid, R.; Hahn, B.
Konferenzbeitrag
2005Photoluminescence study of In-situ rare earth doped PVT-grown SiC single crystals
Schmitt, H.; Müller, R.; Maier, M.; Winnacker, A.; Wellmann, P.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2001Changes of MQW photoluminescence under alpha particle irradiation
Kundrotas, J.; Dargys, A.; Valusis, G.; Asmontas, S.; Granja, C.; Pospisil, S.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
2001Influence of alpha particle bombardment and postannealing on photoluminescence from GaAs/Al(0.35)Ga(0.65)As multiple quantum wells
Kundrotas, J.; Dargys, A.; Valusis, G.; Asmontas, S.; Köhler, K.; Leroy, C.
Zeitschriftenaufsatz
1999Band-gap renormalization and band filling in Si-doped GaN films studied by photoluminescence spectroscopy
Yoshikawa, M.; Kunzer, M.; Wagner, J.; Obloh, H.; Schlotter, P.; Schmidt, R.; Herres, N.; Kaufmann, U.
Zeitschriftenaufsatz
1999High resolution EL2 and resistivity topography of Si GaAs wafers
Wickert, M.; Stibal, R.; Hiesinger, P.; Jantz, W.; Wagner, J.; Jurisch, M.; Kretzer, U.; Weinert, B.
Konferenzbeitrag
1998Direct observation of the rotational direction of electron spin precession in semiconductors
Oestreich, M.; Hägele, D.; Schneider, H.C.; Knorr, A.; Hansch, A.; Hallstein, S.; Schmidt, K.H.; Köhler, K.; Koch, S.W.; Rühle, W.W.
Zeitschriftenaufsatz
1998Excitonic structure and spatially indirect recombination in MOCVD-grown GaN/Al(x)Ga(1-x)N heterostructures
Kunzer, M.; Kaufmann, U.; Maier, M.; Obloh, H.
Konferenzbeitrag
1997Properties of Mg and Zn acceptors in MOVPE GaN as studied by optically detected magnetic resonance
Kunzer, M.; Baur, J.; Kaufmann, U.; Schneider, J.; Amano, H.; Akasaki, I.
Zeitschriftenaufsatz
1997Temperature dependence of excitonic photoluminescence and residual shallow donors in high-purity GaN/Al2O3
Merz, C.; Kunzer, M.; Santic, B.; Kaufmann, U.; Akasaki, I.; Amano, H.
Zeitschriftenaufsatz
1996Free and bound excitons in thin wurtzite GaN layers on sapphire
Merz, C.; Kunzer, M.; Kaufmann, U.; Akasaki, I.; Amano, H.
Zeitschriftenaufsatz
1996Growth of Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As heterostructures lattice relaxed on GaAs and lattice matched on InP
Haupt, M.; Ganser, P.; Köhler, K.; Emminger, S.; Müller, S.; Rothemund, W.
Konferenzbeitrag
1996Photoluminenzspektroskopie an freien und gebundenen Exzitonen in Wurtzit-GaN auf Saphirsubstrat
Merz, C.
Diplomarbeit
1995Electron paramagnetic resonance identification of an Fe-Ag pair in CdTe
Christmann, P.; Volm, D.; Meyer, B.K.; Schneider, J.; Sinerius, D.; Benz, K.W.
Zeitschriftenaufsatz
1995Improved performance from pseudomorphic InyGa1-yAs-GaAs MQW lasers with low growth temperature AlxGa1-xAs short-period superlattice cladding
Larkins, E.C.; Benz, W.; Esquivias, I.; Rothemund, W.; Baeumler, M.; Weisser, S.; Schönfelder, A.; Fleissner, J.; Jantz, W.; Rosenzweig, J.; Ralston, J.D.
Zeitschriftenaufsatz
1995Photoluminescence of residual transition metal impurities in GaN
Baur, J.; Kaufmann, U.; Kunzer, M.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1995Untersuchung von Defekten in Verbindungshalbleitern mit abbildenden Photolumineszenzverfahren
Forker, J.
Diplomarbeit
1994Defektspektroskopie an Halbleitern mit hohem Bandabstand - GaN, SiC, Diamant
Maier, K.
Dissertation
1994Determination of the GaN/AlN band offset via the -/0 acceptor level of iron
Baur, J.; Maier, K.; Kunzer, M.; Kaufmann, U.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1994Excitonic enhancement of the Fermi edge singularity and recombination kinetics of photogenerated electrons in p-type delta-doped GaAs-Be/AlxGa1-xAs double-heterostructures.
Wagner, J.; Richards, D.; Schneider, H.; Fischer, A.; Ploog, K.
Zeitschriftenaufsatz
1994Fourier transform photoluminescence spectroscopy of n-type bulk InAs and InAs/AlSb single quantum wells
Fuchs, F.; Schmitz, J.; Ralston, J.D.; Koidl, P.
Konferenzbeitrag
1994High quality MOCVD-grown AlGaInP/GaAs MODFET structures - an example of successful interface engineering.
Pletschen, W.; Bachem, K.H.; Rothemund, W.; Winkler, K.; Fekete, D.
Konferenzbeitrag
1994Influence of delta doping profile and interface roughness on the transport properties of pseudomorphic heterostructures.
Fernandez de Avila, S.; Sanchez-Rojas, J.L.; Gonzalez-Sanz, F.; Calleja, E.; Munoz, E.; Hiesinger, P.; Köhler, K.; Jantz, W.
Zeitschriftenaufsatz
1994Iron acceptors in gallium nitride -GaN-.
Maier, K.; Kunzer, M.; Kaufmann, U.; Schneider, J.; Monemar, B.; Akasaki, I.; Amano, H.
Zeitschriftenaufsatz
1994Molekularstrahl-Epitaxie und Charakterisierung von GaxIn1-xAs/AlyIn1-yAs Potentialtopfstrukturen
Haupt, M.
Diplomarbeit
1994ODMR studies of MOVPE-grown GaN epitaxial layers.
Kunzer, M.; Kaufmann, U.; Maier, K.; Schneider, J.; Herres, N.; Akasaki, I.; Amano, H.
Zeitschriftenaufsatz
1994Optische Spektroskopie an nitridischen III-V Halbleitern
Baur, J.
Diplomarbeit
1994Resonant quenching of exciton photoluminescence in coupled GaAs/AlAs quantum wells - effect of exciton binding energy.
Schneider, H.; Wagner, J.; Ploog, K.
Zeitschriftenaufsatz
1994Spatially direct and indirect photoluminescence from InAs/AlSb heterostructures
Fuchs, F.; Schmitz, J.; Ralston, J.D.; Koidl, P.
Zeitschriftenaufsatz
1993Cross relaxation and radiative recombination of Co2plus ions in ZnS.
Fuchs, F.; Koidl, P.
Zeitschriftenaufsatz
1993Doping-density dependence of photoluminescence in highly Si-doped GaAs/Al(x)Ga(1-x)As quantum wells from below to above the metallic limit
Harris, C.I.; Monemar, B.; Kalt, H.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1993Enhancement of the in-plane effective mass of electrons in modulation-doped In(x)Ga(1-x)As quantum wells due to confinement effects
Hendorfer, G.; Seto, M.; Ruckser, H.; Jantsch, W.; Helm, M.; Brunthaler, G.; Jost, W.; Obloh, H.; Köhler, K.; As, D.J.
Zeitschriftenaufsatz
1993High resolution carrier temperature and lifetime topography of semi-insulating GaAs using spatially and spectrally resolved photoluminescence
Wang, Z.M.; Windscheif, J.; As, D.J.; Jantz, W.
Zeitschriftenaufsatz
1993Hydrogen passivation of shallow impurities in GaAs/AlGaAs quantum wells.
Harris, C.I.; Stutzmann, M.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1993Observation of extremely long electron-spin-relaxation times in p-type delta-doped GaAs/Al(x)Ga(1-x)As double heterostructures
Schneider, H.; Richards, D.; Fischer, A.; Ploog, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1993Optical spectroscopy of CdHgTe/CdTe quantum wells and superlattices
Monterrat, E.; Ulmer, L.; Magnea, N.; Mariette, H.; Pautrat, J.L.; Kheng, K.; Fuchs, F.
Zeitschriftenaufsatz
1993Optical spectroscopy of shallow impurity states in semiconductor quantum wells.
Monemar, B.; Holtz, P.O.; Harris, C.I.; Bergmann, J.P.; Kalt, H.; Sundaram, M.; Merz, J.L.; Gossard, A.C.; Köhler, K.; Schweizer, T.
Zeitschriftenaufsatz
1993Resonant Raman scattering and photoluminescence at the E0 band gap of carbon-doped AlAs.
Fischer, A.; Ploog, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1992Infrared photoluminescence investigations on narrow-band-gap Hg1-XCdXTe
Fuchs, F.; Schwarz, K.; Koidl, P.
Konferenzbeitrag
1992Screening and correlation effects in degenerately center doped GaAs/AlGaAs single quantum wells.
Harris, C.I.; Kalt, H.; Monemar, B.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1992Ultrafast dephasing in GaAs and GaAs/AlGaAs quantum wells
Leo, K.; Haring Bolivar, P.; Maidorn, G.; Kurz, H.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
1991Ambient and low temperature photoluminescence topography of GaAs substrates, epitaxial and implanted layers.
Wang, Z.M.; As, D.J.; Jantz, W.; Windscheif, J.
Zeitschriftenaufsatz
1991Correlation of the D-band photoluminescence with spatial properties of dislocations in silicon
Weronek, K.; Weber, J.; Höpner, A.; Ernst, F.; Stefaniak, M.; Alexander, H.; Buchner, R.
Konferenzbeitrag
1991Fermi-edge singularity and band-filling effects in the luminescence spectrum of Be-delta-doped GaAs
Ruiz, A.; Ploog, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1991Influence of Gamma-L and Gamma-X crossings on stimulated emission in AlxGa1-xAs.
Rinker, M.; Kalt, H.; Lu, Y.-C.; Ganser, P.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1991Optische Spektroskopie an internen Übergängen ausgewählter Festkörpersysteme
Müller, H.D.
Dissertation
1991Origin of the D-band photoluminescence in silicon
Weronek, K.; Weber, J.; Buchner, R.
Konferenzbeitrag
1991Photolumineszenz-Untersuchungen an GaAs/AlxGa1-xAs-Heterostrukturen
Korf, S.
Diplomarbeit
1991Rekombination an Versetzungen in Silizium und Germanium
Weronek, K.; Weber, J.; Alexander, H.; Buchner, R.
Tagungsband
1990Indirect stimulated emission at room temperature
Rinker, M.; Kalt, H.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1990Indirect stimulated emission at room temperature
Rinker, M.; Kalt, H.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
1990Influence of RIE- induced damage on luminescence and electron transport properties of AlGaAs-GaAs heterostructures.
As, D.J.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Rothemund, W.; Zappe, H.P.; Jantz, W.; Schweizer, T.; Frey, T.
Zeitschriftenaufsatz
1990Nonthermal occupation of higher subbands in semiconductor superlattices via sequential resonant tunneling
Grahn, H.T.; Rühle, W.W.; Klitzing, K. von; Ploog, K.; Schneider, H.
Zeitschriftenaufsatz
1990Optical detection of resonant tunneling in GaAs/AlAs superlattices.
Grahn, H.T.; Klitzing, K. von; Ploog, K.; Schneider, H.
Konferenzbeitrag
1990A photoluminescence study of the transition from non-degenerate to degenerate doping in n-type silicon doped GaAs/AlGaAs quantum wells
Harris, C.; Monemar, B.; Kalt, H.; Schweizer, T.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
1990Subpicosecond transient four-wave-mixing experiments. A novel method to study resonant tunneling.
Damen, T.C.; Ganser, P.; Göbel, E.O.; Köhler, K.; Leo, K.; Shah, J.
Zeitschriftenaufsatz
1989Gamma- and X-band contributions to nonresonant tunneling in GaAs/Al0.35Ga0.65As double quantum wells.
Alexander, M.G.W.; Nido, M.; Reimann, K.; Rühle, W.W.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1988Band-gap narrowing in heavily doped silicon - a comparison of optical and electrical data.
Alamo, J.A. del; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1987Binding energies of shallow donors in semi-insulating GaAs
Ramsteiner, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1987Erbium doping of molecular beam epitaxial GaAs
Smith, R.S.; Müller, H.D.; Wennekers, P.; Maier, M.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz
1987Optical characterization of heavily doped silicon
Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1987Optische Topographie an GaAs - Wafern, -Schichten und -Oberflächen
Wettling, W.; Windscheif, J.
Konferenzbeitrag
1987Photo- and electroluminescence investigation of rare earth ions in III-V semiconductors
Ennen, H.
Konferenzbeitrag
1987Photoluminescence excitation measurements on GaAs-Er grown by molecular-beam epitaxy
Müller, H.D.; Smith, R.S.; Ennen, H.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1986Hard amorphous carbon studied by ellipsometry and photoluminescence
Lautenschlager, P.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1986Photoluminescence form heavily doped Si layers grown by liquid-phase epitaxy
Appel, W.; Warth, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1986Rare earth ions in LPE III-V semiconductors
Müller, H.D.; Körber, W.; Weber, J.; Hangleiter, A.; Benz, K.W.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz
1986Residual acceptor assessment in as-grown bulk GaAs by raman and selective pair luminescence spectroscopy - A comparative study
Ramsteiner, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1985Luminescence of the rare-earth ion ytterbium in InP, GaP, and GaAs
Pomrenke, G.; Axmann, A.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz
1983Evidence of amphoteric behavior of Si in VPE InP.
Pomrenke, G.S.
Zeitschriftenaufsatz
1983Photoluminescence in heavily doped Si and Ge
Axmann, A.; Compaan, A.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1982Selenium doping of molecular beam epitaxial GaAs using SnSe2.
Smith, R.S.; Ganser, P.M.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz