Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2015Nanostructured thermoelectrics: Bi2Te3 / Sb2Te3 based superlattice systems fabricated by MBE and sputtering
Winkler, Markus
Dissertation
2013Beiträge zur Aufklärung des Einbaus von Titan in PbTe und (Pb,Ge)Te in Bezug auf eine Optimierung der thermoelektrischen Gütezahl ZT
König, Jan D.
Dissertation
2010InN nanocolumns
Grandal, J.; Sánchez-García, M.A.; Calleja, E.; Lazic, S.; Gallardo, E.; Calleja, J.M.; Luna, E.; Trampert, A.; Niebelschütz, F.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Aufsatz in Buch
2008Growth of thick films CdTe from the vapor phase
Sorgenfrei, R.; Greiffenberg, D.; Bachem, K.H.; Kirste, L.; Zwerger, A.; Fiederle, M.
Zeitschriftenaufsatz
2008Plasma assisted molecular beam epitaxy of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Aidam, R.; Kirste, L.; Kunzer, M.; Müller, S.; Waltereit, P.
Zeitschriftenaufsatz
2007Epitaxial growth of GaInAs/AlGaAsSb quantum cascade lasers
Manz, C.; Yang, Q.K.; Kirste, L.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2007Impact of interface formation on intersubband transitions in MBE GaInAs:Si/AlAsSb multiple coupled DQWs
Biermann, K.; Künzel, H.; Tribuzy, C.V.-B.; Ohser, S.; Schneider, H.; Helm, M.
Konferenzbeitrag
2007Solid source MBE growth on InP-based DHBTs for high-speed data communication
Aidam, R.; Lösch, R.; Driad, R.; Schneider, K.; Makon, R.E.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2006GaSb-based tapered diode lasers at 1.93 µm with 1.5-W nearly diffraction-limited power
Pfahler, C.; Kaufel, G.; Kelemen, M.T.; Mikulla, M.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2006Hochratige optische Empfänger für 80/160 Gbit/s
Bach, H.G.; Beling, A.; Ebert, W.; Eckhardt, T.; Gibis, R.; Kunkel, R.; Maul, B.; Mekonnen, G.G.; Sahin, G.; Schlaak, W. et al.
Bericht
2006Molecular beam epitaxy and doping of AlN at high growth temperatures
Boger, R.; Fiederle, M.; Kirste, L.; Maier, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2005Bonding of nitrogen in dilute InAsN and high In-content GaInAsN
Wagner, J.; Köhler, K.; Ganser, P.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
2005Growth of InAs/GaSb short-period superlattices for high-resolution mid-wavelength infrared focal plane array detectors
Walther, M.; Schmitz, J.; Rehm, R.; Kopta, S.; Fuchs, F.; Fleißner, J.; Cabanski, W.; Ziegler, J.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2005High temperature (T >= 400 K) operation of strain-compensated quantum cascade lasers with thin InAs insertion layers and AlAs blocking barriers
Yang, Q.K.; Mann, C.; Fuchs, F.; Köhler, K.; Bronner, W.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2005High-quality GaInAs/AlAsSb quantum cascade lasers grown by molecular beam epitaxy in continuous growth mode
Manz, C.; Yang, Q.K.; Köhler, K.; Maier, M.; Kirste, L.; Wagner, J.; Send, W.; Gerthsen, D.
Zeitschriftenaufsatz
2005MBE growth of mid-IR type-II interband laser diodes
Schmitz, J.; Mermelstein, C.; Kiefer, R.; Walther, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2005Metallorganische Molekularstrahlepitaxie von GaN und InN
Aderhold, J.
Dissertation
2005Nitrogen incorporation into GaInNAs lattice-matched to GaAs: The effects of growth temperature and thermal annealing
Pavelescu, E.-M.; Wagner, J.; Komsa, H.-P.; Rantala, T.; Dumitrescu, M.; Pessa, M.
Zeitschriftenaufsatz
2004High In-content InP-substrate based GaInAsN and GaInAsN QW diode lasers emitting in the 2.2 to 2.3 µm wavelength range
Wagner, J.; Serries, D.; Köhler, K.; Ganser, P.; Maier, M.; Kirste, L.; Kiefer, R.
Konferenzbeitrag
2004Multiwafer solid source phosphorus MBE on InP for DHBTs and aluminum free lasers
Aidam, R.; Lösch, R.; Walther, M.; Driad, R.; Kallenbach, S.
Konferenzbeitrag
2004The realization of long-wavelength (lambda <= 2.3 µm) Ga(1-x)In(x)As(1-y)N(y) quantum wells on InP by molecular-beam epitaxy
Köhler, K.; Wagner, J.; Ganser, P.; Serries, D.; Geppert, T.; Maier, T.; Kirste, L.
Zeitschriftenaufsatz
2003Bonding of nitrogen in dilute GaInAsN and AlGaAsN studied by Raman spectroscopy
Wagner, J.; Geppert, T.; Köhler, K.; Ganser, P.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
2003Quantitative assessment of Al-to-N bonding in dilute Al(0.33)Ga(0.67)As(1-y)N(y)
Wagner, J.; Geppert, T.; Köhler, K.; Ganser, P.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
2002Preferential formation of Al-N bonds in low N-content AlGaAsN
Geppert, T.; Wagner, J.; Köhler, K.; Ganser, P.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
2001Growth and layer structure optimization of 2.26 µm (AlGaIn)(AsSb) diode lasers for room temperature operation
Simanowski, S.; Mermelstein, C.; Walther, M.; Herres, N.; Kiefer, R.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Wagner, J.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2000Antimonidische III/V-Halbleiterheterostrukturen für Infrarot-Diodenlaser
Simanowski, S.
Dissertation
2000Strain adjustment in (GaIn)(AsSb)/(AlGa)(AsSb) QWs for 2.3.-2.7. µm laser structures
Simanowski, S.; Herres, N.; Mermelstein, C.; Kiefer, R.; Schmitz, J.; Walther, M.; Wagner, J.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1999Arsenic incorporation in molecular beam epitaxy (MBE) grown (AlGaIn)(AsSb) layers for 2.0-2.5 mu m laser structures on GaSb substrates
Simanowski, S.; Walther, M.; Schmitz, J.; Kiefer, R.; Herres, N.; Fuchs, F.; Maier, M.; Mermelstein, C.; Wagner, J.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1999Solid-solubility limits of Be in molecular beam epitaxy grown Al(x)Ga(1-x)As layers and short-period superlattices
Gaymann, A.; Maier, M.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1994Interface formation and surface Fermi level pinning in GaSb and InSb grown on GaAs by molecular beam epitaxy
Wagner, J.; Alvarez, A.-L.; Schmitz, J.; Ralston, J.D.; Koidl, P.
Konferenzbeitrag
1994Interface formation in InAs/AlSb and InAs/AlAs/AlSb quantum wells grown by molecular-beam epitaxy
Wagner, J.; Schmitz, J.; Behr, D.; Ralston, J.D.; Koidl, P.
Zeitschriftenaufsatz
1993Grenzflächen- und Materialeigenschaften von Al0.3Ga0.7As/InxGa1-xAs/GaAs Heterostrukturen
Schweizer, T.
Dissertation
1993Molecular beam epitaxy of laterally structured lead chalcogenides for the fabrication of buried heterostructure lasers.
Lambrecht, A.; Böttner, H.; Agne, M.; Kurbel, R.; Fach, A.; Halford, B.; Schießl, U.; Tacke, M.; Schiessl, U.
Zeitschriftenaufsatz
1993Nucleation, relaxation and redistribution of Si layers in GaAs.
Brandt, O.; Crook, G.; Ploog, K.; Bierwolf, R.; Hohenstein, M.; Maier, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1993Shadow mask MBE for the fabrication of lead chalcogenide buried heterostructure lasers
Lambrecht, A.; Kurbel, R.; Agne, M.
Zeitschriftenaufsatz
1992Compositional analysis of MBE pseudomorphic InGaAs/AlGaAs/GaAs structures by determination of film thickness with SIMS
Höpner, A.; As, D.J.; Köhler, K.; Maier, M.
Konferenzbeitrag
1992Epitaxial growth of laterally structured lead chalcogenide lasers
Lambrecht, A.; Fach, A.; Kurbel, R.; Halford, B.; Böttner, H.; Tacke, M.
Konferenzbeitrag
1991Crystal-field splittings of Er3+-4f11- in molecular beam epitaxially grown ErAs/GaAs.
Schneider, J.; Müller, H.D.; Fuchs, F.; Thonke, K.; Dörnen, A.; Ralston, J.D.
Zeitschriftenaufsatz
1991Dopant incorporation and activation in highly Si doped GaAs layers grown by atomic layer molecular beam epitaxy
Silveira, J.P.; Briones, F.; Ramsteiner, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
1991Molecular beam epitaxy of Pb1-xSrxSe for the use in IR devices
Kuhn, S.; Evers, J.; Böttner, H.; Herres, N.; Lambrecht, A.; Spanger, B.; Tacke, M.
Zeitschriftenaufsatz
1991Overgrowth and strain in MBE-grown GaAs/ErAs/GaAs structures.
Hiesinger, P.; Schmälzlin, J.; Fuchs, F.; Ralston, J.D.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1991Picosecond optical nonlinearity in lead chalcogenide semiconductors.
Buhleier, R.; Elsaesser, T.; Klann, R.; Lambrecht, A.
Zeitschriftenaufsatz
1990Cathodoluminescence study of erbium in La1-xErxF3 epitaxial layers on Si-111-.
Müller, H.D.; Schneider, J.; Lüth, H.; Strümpler, R.
Zeitschriftenaufsatz
1990Comparative investigation of the interface quality of GaAs/AlGaAs quantum wells grown by MBE.
Schweizer, T.; Bachem, K.H.; Voigt, A.; Strunk, H.P.; Ganser, P.; Köhler, K.; Maier, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1990Influence of the BaF2 substrate preparation on the structural perfection of epitaxially grown IV-VI compounds.
Clemens, H.; Voiticek, A.; Holzinger, A.; Bauer, G.
Zeitschriftenaufsatz
1990Investigation of the interface of GaAs/AlGaAs heterostructures.
Schweizer, T.; Bachem, K.H.; As, D.J.; Ganser, P.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1989Monitoring of gaseous pollutants by tunable diode lasers '88
: Grisar, R.; Schmidtke, G.; Tacke, M.; Restelli, G.
Tagungsband
19883-D project and current statics of 3-D technology in West Germany
Seegebrecht, P.
Konferenzbeitrag
1988Analysis of ytterbium arsenide films grown on GaAs by molecular beam epitaxy.
Herres, N.; Richter, H.J.; Seelmann-Eggebert, M.; Smith, R.; Wennekers, P.
Zeitschriftenaufsatz
1988Distributed Bragg reflector lead-tin-selenide/lead-europium-tin-selenide diode lasers with a broad single-mode tuning range.
Shani, Y.; Rosman, R.; Norton, P.; Katzir, A.; Preier, H.M.; Tacke, M.
Zeitschriftenaufsatz
1988Entwicklung mikrostrukturierter DH-Diodenlaser und Detektoren für den nahen und mittleren infraroten Spektralbereich unter Einsatz der Molekularstrahlepitaxie
Böttner, H.; Tacke, M.
Konferenzbeitrag
1988Infrared double-heterostructure diode lasers made by molecular beam epitaxy of Pb1-XEuXSe.
Norton, P.R.; Böttner, H.; Lambrecht, A.; Spanger, B.; Tacke, M.
Zeitschriftenaufsatz
1988Nonlinear optical studies of relaxation times of carriers in MBE layers of PbSe and PbEuSe.
Dorbath, K.; Häfele, H.-G.; Tacke, M.; Lambrecht, A.
Zeitschriftenaufsatz
1988REM- und TEM-Untersuchungen an epitaktischen Blechalkogenid-Schichten auf -100-PbSe-Flächen
Böttner, H.; Foitzik, A.; Lambrecht, A.; Spanger, B.
Zeitschriftenaufsatz
1988A zeeman study of the 1.54 micrometer transition in molecular beam epitaxial GaAs-Er.
Thonke, K.; Hermann, H.U.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1987Erbium doping of molecular beam epitaxial GaAs
Smith, R.S.; Müller, H.D.; Wennekers, P.; Maier, M.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz
1987Monitoring of gaseous pollutants by tunable diode lasers '86
: Grisar, R.; Schmidtke, G.; Tacke, M.; Restelli, G.
Tagungsband
1987Photoluminescence excitation measurements on GaAs-Er grown by molecular-beam epitaxy
Müller, H.D.; Smith, R.S.; Ennen, H.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1984Halbleiter-Emitter fuer den mittleren und fernen infraroten Spektralbereich
Bachem, K.H.
Aufsatz in Buch
1984MBE - A tool for fabricating IV-VI compound diode lasers.
Norton, P.; Bachem, K.H.; Preier, H.M.
Aufsatz in Buch