Publica
Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten. | | |
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| 2009 | Gate-recessed AlGaN/GaN based enhancement-mode high electron mobility transistors for high frequency operation
Maroldt, S.; Haupt, C.; Pletschen, W.; Müller, S.; Quay, R.; Ambacher, O.; Schippel, C.; Schwierz, F. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2005 | A coplanar X-band AlGaN/GaN power amplifier MMIC on s.i. SiC substrate
Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Benkhelifa, F.; Raynor, B.; Pletschen, W.; Kuri, M.; Massler, H.; Müller, S.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2003 | Development of a 2"-AlGaN/GaN HEMT technology on sapphire and SiC for mm-wave high-voltage power applications
Kiefer, R.; Quay, R.; Müller, S.; Feltgen, T.; Raynor, B.; Schleife, J.; Köhler, K.; Massler, H.; Ramberger, S.; Raay, F. van; Tessmann, A.; Mikulla, M.; Weimann, G. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2002 | AlGaN/GaN-HEMTs for power applications up to 40 GHz
Kiefer, R.; Quay, R.; Müller, S.; Köhler, K.; Raay, F. van; Raynor, B.; Pletschen, W.; Massler, H.; Ramberger, S.; Mikulla, M.; Weimann, G. | Konferenzbeitrag |