Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2010Electrical characterization and reliability of nitrided-gate insulators for N- and P-type 4H-SiC MIS devices
Noborio, M.; Grieb, M.; Bauer, A.J.; Peters, D.; Friedrichs, P.; Suda, J.; Kimoto, T.
Konferenzbeitrag
1996Verwendung des BSIM2-Modells bei höheren Frequenzen
Barthel, W.; Posdziech, G.
Zeitschriftenaufsatz
1995Structural and electrical properties of thin SiO2 layers grown by RTP in a mixture of N2O and O2
Bauer, A.J.; Burte, E.P.
Zeitschriftenaufsatz
1994A CMD-only reproducible field degradation and its reliability aspect
Gieser, H.A.; Egger, P.; Reiner, J.C.; Herrmann, M.R.
Konferenzbeitrag
1992Integration of vertical/quasivertical DMOS, CMOS and bipolar transistors in a 50V SIMOX process
Berger, M.; Mach, W.; Mütterlein, B.; Raab, M.; Richter, F.; Vogt, F.P.; Vogt, H.; Weyers, J.
Konferenzbeitrag
1991Avoidance of substrate damage upon laser recrystallization of a SOI layer
Wel, W. van der; Seitz, S.; Weber, J.; Buchner, R.; Haberger, K.; Seegebrecht, P.
Zeitschriftenaufsatz
1991SiO2-passivated high efficiency silicon solar cells - process dependence of Si-SiO2 interface recombination
Aberle, A.; Glunz, S.; Warta, W.; Kopp, J.; Knobloch, J.
Konferenzbeitrag
19903D CMOS devices in recrystallized silicon
Seitz, S.; Weber, J.; Seegebrecht, P.; Wel, W. van der; Buchner, R.; Haberger, K.
Zeitschriftenaufsatz
19893D - CMOS devices in recrystallized silicon
Buchner, R.; Haberger, K.; Seitz, D.; Weber, J.; Wel, W. van der; Seegebrecht, P.
Konferenzbeitrag
1989An advanced fabrication process for 3D-CMOS devices
Buchner, R.; Haberger, K.; Seitz, S.; Weber, J.; Wel, W. van der; Seegebrecht, P.
Konferenzbeitrag
1989Laser recrystallization of polysilicon for improved device quality
Buchner, R.; Haberger, K.; Hu, B.
Aufsatz in Buch
1989Process technology for 3D-CMOS devices
Buchner, R.; Haberger, K.; Seitz, S.; Weber, J.; Wel, W. van der; Seegebrecht, P.
Konferenzbeitrag
1989Substrate-damage-free laser recrystallization of polycrystalline silicon
Buchner, R.; Haberger, K.; Wel, W. van der; Seegebrecht, P.
Zeitschriftenaufsatz
1986MOS-Gassensoren mit strukturierten- und unstrukturierten GATE-Elektronen
Dobos, K.; Mokwa, W.; Zimmer, G.
Zeitschriftenaufsatz
1974On the design of all-digital components for low-speed and high-speed modems using MOS technology
Giloi, W.K.
Konferenzbeitrag