Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2017Charge carrier dynamics in InGaN quantum wells: Stimulated emission depletion and lateral charge carrier motion
Solowan, Hans-Michael
: Ambacher, Oliver (Ed.); Schwarz, U.T.; Wöllenstein, J.
Dissertation
2010Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Maier, M.
: Ambacher, O.
Dissertation
2009Effect of annealing on the properties of indium-tin-oxynitride films as ohmic contacts for GaN-based optoelectronic devices
Himmerlich, M.; Koufaki, M.; Ecke, G.; Mauder, C.; Cimalla, V.; Schaefer, J.A.; Kondilis, A.; Pelekanos, N.T.; Modreanu, M.; Krischok, S.; Aperathitis, E.
Zeitschriftenaufsatz
2009Influence of substrate dislocation density and quantum well width on the quantum efficiency of violet-emitting GalnN/GaN light-emitting diodes
Passow, T.; Maier, M.; Kunzer, M.; Crenguta-Columbina, L.; Liu, S.; Wiegert, J.; Schmidt, R.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2009Reduced nonthermal rollover of wide-well GaInN light-emitting diodes
Maier, M.; Köhler, K.; Kunzer, M.; Pletschen, W.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2008Enhancement of (AlGaIn)N near-UV LED efficiency using freestanding GaN substrate
Maier, M.; Köhler, K.; Kunzer, M.; Wiegert, J.; Liu, S.; Kaufmann, U.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2008SIMS depth profiling of Mg back-diffusion in (AlGaIn)N light-emitting diodes
Kirste, L.; Köhler, K.; Maier, M.; Kunzer, M.; Maier, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2007Thermal and non-thermal saturation effects in the output characteristic of UV-to-violet emitting (AlGaIn)N LEDs
Baeumler, M.; Kunzer, M.; Schmidt, R.; Liu, S.; Pletschen, W.; Schlotter, P.; Köhler, K.; Kaufmann, U.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2003Electroluminescence efficiency of InGaN light emitting diodes: Dependence on AlGaN:Mg electron blocking layer width and Mg doping profile
Stephan, T.; Köhler, K.; Kunzer, M.; Schlotter, P.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2002(AlGaIn)N ultraviolet LED chips and their use in tri-phosphor luminescence conversion white LEDs
Wagner, J.; Kaufmann, U.; Köhler, K.; Kunzer, M.; Pletschen, W.; Obloh, H.; Schlotter, P.; Stephan, T.; Walcher, H.; Ellens, A.; Rossner, W.; Kobusch, M.
Konferenzbeitrag
2002Importance of nonradiative recombination process in violet UV InGaN light emmitting diodes
Stephan, T.; Kunzer, M.; Schlotter, P.; Pletschen, W.; Obloh, H.; Müller, S.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2001The status and future development of innovative optoelectronic devices based on III-nitrides on SiC and on III-antimonides
Stath, N.; Haerle, V.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2000Group III-Nitride heterostructures: From materials research to devices
Wagner, J.; Obloh, H.; Kunzer, M.; Schlotter, P.; Pletschen, W.; Kiefer, R.; Kaufmann, U.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
1990Photovoltaisch versorgtes Beleuchtungssystem LiSol - Eine völlig neue Dimension der Beleuchtung mit Hilfe von Leuchtdioden und Fluoreszenzkollektoren
Steinhüser, A.
Konferenzbeitrag
1985Ytterbium-doped InP light-emitting diode at 1.0 Mue m
Mueller, H.D.; Koerber, W.; Benz, K.W.; Haydl, W.H.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz