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| 2020 | Perovskite Silicon Tandem Solar Cells
Bett, Alexander Jürgen | Dissertation |
| 2019 | Mikrowellenplasmaunterstützte Prozesse für Anwendungen in der Halbleitertechnologie
Altmannshofer, Stephan
: Kutter, C.; Eisele, I. | Dissertation |
| 2017 | InGaAs-Avalanche-Photodioden für bildgebende Verfahren im kurzwelligen Infrarot
Kleinow, Philipp
: Lausen, G.; Ambacher, O.; Koos, C. | Dissertation |
| 2017 | The role of charge trapping in AlGaN/GaN-on-Si HEMT based power switches
Wespel, Matthias
: Wagner, Joachim; Lausen, G.; Ambacher, O.; Schwierz, F. | Dissertation |
| 2014 | Compact mask models for optical projection lithography
Agudelo Moreno, Viviana
: Erdmann, Andreas | Dissertation |
| 2012 | Epitaxie von AlGaN-basierten Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich
Gutt, Richard | Dissertation |
| 2011 | "Es werde Licht!" 50 Jahre Laser und deren Bedeutung für unsere Generation des elektronischen Zeitalters
Rudolph, Oliver | Konferenzbeitrag |
| 2010 | Chemische Gasphasenabscheidung von Metallsilicatschichten aus Einquellen-Ausgangsstoffen für Anwendungen in der Mikroelektronik
Lemberger, M. | Dissertation |
| 2008 | Light scattering of optical components at 193 nm and 13.5 nm
Schröder, S. | Dissertation |
| 2007 | Nano-Raman: Monitoring nanoscale stress
Uhlig, B.; Zollondz, J.-H.; Haberjahn, M.; Bloess, H.; Kücher, P. | Konferenzbeitrag |
| 2007 | PECVD and plasma etching at atmospheric pressure by means of a linearly-extended DC arc plasma source
Dani, I.; Hopfe, V.; Rogler, D.; Lopez, E.; Mäder, G. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2006 | Dreidimensionale Topographiesimulation der ionisierten Metallplasma-Abscheidung in der Halbleitertechnologie
Kistler, S. | Dissertation |
| 2003 | CMOS imaging for automotive applications
Hosticka, B.J.; Brockherde, W.; Bussmann, A.; Heimann, T.; Jeremias, R.; Kemna, A.; Nitta, C.; Schrey, O. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2002 | Algorithmen für die dreiecksbasierte dreidimensionale Simulation bewegter Oberflächen in der Halbleitertechnologie
Lenhart, O.
: Ryssel, H. (Prüfer) | Dissertation |
| 2002 | On-chip interconnects for next generation system-on-chips
Brinkmann, A.; Niemann, J.-C.; Hehemann, I.; Langen, D.; Porrmann, M.; Rückert, U. | Konferenzbeitrag |
| 2001 | ASMC 2001. CD-ROM
: Kaufmann, T. | Tagungsband |
| 2000 | Grobplanung mit künstlichen neuronalen Netzwerken für die Halbleiterfertigung
Schmidt, T. | Dissertation |
| 2000 | Three-Dimensional Simulation of the Conformality of Copper Layers Deposited by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition from CuI(tmvs)(hfac)
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1999 | Control and Improvement of Surface Triangulation for Three-Dimensional Process Simulation
Bär, E.; Lorenz, J. | Konferenzbeitrag |
| 1999 | Quo Vadis Media
: Dorner, J. | Tagungsband |
| 1998 | Dreidimensionale Simulation von Schichtabscheideprozessen in der Halbleitertechnologie
Bär, E. | Dissertation |
| 1998 | Integrated three-dimensional topography simulation and its application to dual-damascene processing
Bär, E.; Henke, W.; List, S.; Lorenz, J. | Konferenzbeitrag |
| 1998 | IT Projects of the European Semiconductor Industry in a Worldwide Context. Proceedings
| Tagungsband |
| 1998 | Monte-Carlo simulation of silicon amorphization during ion implantation
Bohmayr, W.; Burenkov, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.; Selberherr, S. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1998 | New Concepts for Electronic Manufacturing Facilities by Using Semiconductor Equipment Standards and Models
Gramann, U.; Frauenhoffer, F.; Sturm, R.; Matuscheck, P.; Suntrup, M.; Kaufmann, T.S.; Schäfer, W. | Konferenzbeitrag |
| 1998 | Three-dimensional simulation of layer deposition
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1998 | Three-dimensional simulation of SiO2 profiles from TEOS-sourced remote microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H. | Konferenzbeitrag |
| 1997 | 3D simulation of sputter deposition of titanium layers in contact holes with high aspect ratios
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H. | Konferenzbeitrag |
| 1997 | 3D simulation of sputter deposition of titanium layers in contact holes with high aspect ratios2
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H. | Konferenzbeitrag |
| 1997 | Atomistic analysis of the vacancy diffusion mechanism
List, S.; Ryssel, H. | Konferenzbeitrag |
| 1997 | Integrated three-dimensional topography simulation of contact hole processing
Bär, E.; Benvenuti, A.; Henke, W.; Jünemann, B.; Kalus, C.; Niedermaier, P.; Lorenz, J. | Konferenzbeitrag |
| 1997 | Modifikation der Oberflächeneigenschaften von Polymeren durch Ionenimplantation
Öchsner, R. | Dissertation |
| 1997 | Monte-Carlo simulation of silicon amorphization during ion implantation
Bohmayr, W.; Burenkov, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.; Selberherr, S. | Konferenzbeitrag |
| 1997 | Three-dimensional simulation of contact hole metallization using aluminum sputter deposition at elevated temperatures
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H. | Konferenzbeitrag |
| 1997 | Three-dimensional simulation of conventional and collimated sputter deposition of Ti layers into high aspect ratio contact holes
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H. | Konferenzbeitrag |
| 1997 | Three-dimensional simulation of ion implantation
Lorenz, J.; Tietzel, K.; Burenkov, A.; Ryssel, H. | Konferenzbeitrag |
| 1996 | Organisations- und Kommunikationsstrukturen bei der Entwicklung und Fertigung kundenspezifischer Halbleitersensoren
Niemeier, J.; Kriegel, B.; Hermann, S. | Aufsatz in Buch |
| 1996 | Parameter test software for HP 4062
Pieczynski, J.; Daamen, M.; Voß, D. | Konferenzbeitrag |
| 1996 | Three-dimensional simulation of ion implantation
Tietzel, K.; Burenkov, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H. | Konferenzbeitrag |
| 1995 | Schnelle thermische Prozessierung und Charakterisierung dünner nitridierter Oxide
Bauer, A.J. | Dissertation |
| 1995 | Wolframmetallisierung zum Einsatz bei hohen Temperaturen
Werner, R.; Burbach, G.; Leiberg, W.; Lukat, W.; Dreizner, A. | Konferenzbeitrag |
| 1994 | Advanced SOI MOSFET for low voltage, low power and fast application
Stephan, Rolf; Raab, Michael; Kück, Heinz; Vogt, Holger | Konferenzbeitrag |
| 1994 | Development and characterization of microelectrode arrays by means of electrochemical and surface analysis methods.
Wittkampf, M.; Naendorf, B.; Cammann, K.; Rospert, M.; Mokwa, W.; Hagenhoff, B.; Benninghoven, A.; Amrein, M.; Reichelt, R.; Gründig, B. | Konferenzbeitrag |
| 1994 | Monolithische Integration von Magnetfeld-Sensorelementen und Auswerteschaltungen in CMOS-Technologie
Gottfried-Gottfried, R.; Zimmer, G. | Konferenzbeitrag |
| 1993 | Berechnung komplexer Halbleiter elektronischer Strukturen unter Nutzung von ANSYS-Resultaten in der mehrdimensionalen Devicesimulation
Erlebach, A.; Kunze, D.; Richter, F.; Stephan, R.; Gajewski, H. | Konferenzbeitrag |
| 1993 | Determination of EBIC response by two-dimensional device simulation
Erlebach, A.; Stephan, R.; Dallmann, G. | Konferenzbeitrag |
| 1993 | Halbleitermesse der Superlative. 45000 Besucher auf der Semicon West in San Francisco
Kahlden, T. von | Konferenzbeitrag |
| 1993 | Physikalisch-technologische Untersuchungen zu Kurzkanaltransistoren für die Megabittechnologie
Raab, M. | Dissertation |
| 1993 | Simulation of sputter deposition process by DUPSIM
Seifert, M.; Richter, F.; Spallek, R.G. | Konferenzbeitrag |
| 1993 | Stability of an AlGaAs/GaAs/AlGaAsE/D-HEMT process with double pulse doping
Jakobus, T.; Bronner, W.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Landsberg, B.; Raynor, B.; Schneider, J.; Grün, N.; Windscheif, J.; Berroth, M.; Hornung, J. | Konferenzbeitrag |
| 1993 | Zweidimensionale Prozeß- und Device-Simulation. Leistungsfähige Methoden der adaptiven Gitterverfeinerung und Techniken zur Manipulation von Ortdiskretisierungen
Erlebach, A.; Hürrich, A.; Stephan, R.; Todt, U. | Konferenzbeitrag |
| 1992 | Fertigung unter Reinraumbedingungen
Dorner, J. | Konferenzbeitrag |
| 1991 | Software hält den Leitstand flexibel. Hardware-Änderungen in einer Fertigungszelle müssen nicht zu langwierigem Umprogrammieren führen
Pluszynski, K.; Schäfer, W. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1991 | Überblick und Haupttrends im Bereich Halbleitermaterialien und -technologien
Kersten, G. | Buch |
| 1990 | Elektrohydrodynamische Mikropumpe
Richter, A.; Sandmaier, H. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1990 | Partikelmessung in Gasen
Dorner, J. | Konferenzbeitrag |
| 1990 | Werkstückbegleitender Informationsspeicher als Basis für ein informationstechnisches Konzept für Halbleiterfertigungen
Sauter, K.-D. | Dissertation |
| 1989 | Chemical and physical processes during the formation of MoSi2 by ion-beam mixing
Möller, W.; Ryssel, H.; Valyi, G. | Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag |
| 1989 | Contributions of atomic hydrogen to the low temperature removal of traps at silicon oxide-silicon interfaces.
Burte, E.P.; Matthies, P. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1989 | Fertigungstechnik im Reinraum. Nur so rein wie nötig - Trend zu hochautomatisierter Fertigung
Schmutz, W.; Schraft, R.D. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1989 | A flexible target chamber for a Varian 350 DF implanter
Kluge, A.; Ryssel, H.; Schork, R. | Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag |
| 1989 | Lokale Reinräume. Flexibles, fotolithographisches Prozeßzentrum für die Halbleiterfertigung
Warnecke, H.-J.; Frühauf, W.; Kelemen, M.; Mann, R. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1989 | Simulation halbleitertechnologischer Prozess-Schritte in der Mikroelektronik
Lorenz, J.; Pelka, J.; Ryssel, H. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1989 | Two-dimensional simulation of ion implantation profiles using a personal computer
Barthel, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H. | Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag |
| 1988 | ASWR - method for the simulation of dopant redistribution in silicon
Lorenz, J.; Svoboda, M. | Konferenzbeitrag |
| 1988 | CW argon-laser induced zone-melting recrystallization of thin silicon on oxide.
Ryssel, H.; Götzlich, J.; Steinberger, H.; Qiuxia, X | Zeitschriftenaufsatz |
| 1988 | Implementation of models for stress-reduced oxidation into 2-D simulator
Seidl, A.; Huber, V.; Rudan, M.; Selberherr, S.; Stippel, H.; Strasser, E.; Lorenz, E. | Konferenzbeitrag |
| 1988 | The influence of implantation parameters and annealing conditions on the formation and properties of MoSi2 layers.
Dehm, C.; Möller, W.; Ryssel, H.; Valyi, G. | Aufsatz in Buch |
| 1988 | Influence of initial conditions on point defect diffusion. Impact on models
Dürr, R.; Pichler, P. | Konferenzbeitrag |
| 1988 | Safety aspects of ion implantation.
Ryssel, H. | Konferenzbeitrag |
| 1988 | Safety consideration for ion implanters.
Hamers, P.; Ryssel, H. | Aufsatz in Buch |
| 1988 | Time-resolved thermal annealing of interface traps in aluminium gate-silicon oxide-silicon devices
Burte, E.P.; Matthies, P. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1986 | Anforderungen an den Reinraum aus der Sicht der Halbleitertechnologie
Ryssel, H.; Pfitzner, L. | Konferenzbeitrag |
| 1984 | Basis device structures
Mader, H. | Aufsatz in Buch |
| 1983 | Bulk-barrier transistor
Mader, H.; Mueller, R.; Beinvogel, W. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1983 | Cd-diffused lead salt diode lasers and their application in multicomponent gas analysis systems
Jakubowicz, A.; Eisenbeiss, A.; Bachem, K.H.; Ball, D.; Boettner, H.; Preier, H.M.; Riedel, W.J. | Konferenzbeitrag |
| 1983 | Ion beam lithography
Ryssel, H.; Haberger, K. | Aufsatz in Buch |