Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2001Etch-depth dependence of laser diodes using angular filtering by total reflection
Rogg, J.; Boucke, K.; Kelemen, M.T.; Rinner, F.; Pletschen, W.; Kiefer, R.; Walther, M.; Mikulla, M.; Poprawe, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2001High-brightness laser diodes using angular filtering by total reflection
Rogg, J.; Boucke, K.; Kelemen, M.T.; Rinner, F.; Pletschen, W.; Kiefer, R.; Walther, M.; Mikulla, M.; Poprawe, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000Room temperature cw operation of GaInAsSb/AlGaAsSb quantum well lasers emitting in the 2.2 to 2.3 µm wavelength range
Mermelstein, C.; Simanowski, S.; Mayer, M.; Kiefer, R.; Schmitz, J.; Walther, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2000Room-temperature cw Operation of GaInAsSb/AlGaAsSb Quantum Well Diode Lasers emitting beyond 2 µm
Mermelstein, C.; Simanowski, S.; Mayer, M.; Kiefer, R.; Schmitz, J.; Walther, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2000Room-temperature low-threshold low-loss continous-wave operation of 2.26 µm GaInAsSb/AlGaAsSb quantum-well laser diodes
Mermelstein, C.; Simanowski, S.; Mayer, M.; Kiefer, R.; Schmitz, J.; Walther, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1996Hybrid integration of laser diode chips on a glass substrate
Cabon, B.; Hilt, A.; Vilcot, A.; Czotscher, K.; Weisser, S.; Berceli, T.
Konferenzbeitrag
1995Interdiffusion von GaAs/AlGaAs- und pseudomorphen InGaAs/GaAs-Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Anwendungen
Bürkner, S.
Dissertation
199218 Gbit/s monolithically integrated 2 to 1 multiplexer and laser driving using 0.3 mym gate length quantum well hemt's.
Nowotny, U.; Bronner, W.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K.; Wang, Z.-G.
Zeitschriftenaufsatz
1992Comparison of ultrahigh-speed 30 GHz undoped and p-doped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers.
Schönfelder, A.; Weisser, S.; Ralston, J.D.; Larkins, E.C.; Esquivias, I.; Fleissner, J.; Tasker, P.J.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1992High-frequency characterization of 30 GHz p-type modulation-doped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers
Weisser, S.; Ralston, J.D.; Larkins, E.C.; Esquivias, I.; Tasker, P.J.; Fleissner, J.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1992Influence of facet reflectivity on the differential gain and K-factor in high-speed GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs MQW lasers
Weisser, S.; Esquivias, I.; Ralston, J.D.; Rosenzweig, J.; Schönfelder, A.; Larkins, E.C.; Fleissner, J.
Konferenzbeitrag
1992Modelling and characterization of high-speed GaAs and In0.35Ga0.65As multiple-quantum-well laser diodes
Schönfelder, A.; Weisser, S.; Esquivias, I.; Ralston, J.D.; Rosenzweig, J.; Gallagher, D.F.G.
Konferenzbeitrag