Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2019Mikrowellenplasmaunterstützte Prozesse für Anwendungen in der Halbleitertechnologie
Altmannshofer, Stephan
: Kutter, C.; Eisele, I.
Dissertation
2018Challenges for Silicon Photovoltaics. Next steps in manufacturing and advanced technologies
Bett, A.W.
Vortrag
2018Defects in Epitaxially Grown Silicon Wafers Causing Lifetime Patterns
Drießen, M.; Beu, P.; Heinz, F.D.; Fehrenbach, T.; Gust, E.; Schindler, F.; Janz, S.
Konferenzbeitrag
2018Optimization of inline processes for the production of freestanding epitaxially grown thin films for solar cells
Ivanov, Alexey; Sorgenfrei, R.; Gust, Elke; Barth, Philipp; Nieuwenhuysen, Kris van; Kühnhold-Pospischil, Saskia; Riepe, Stephan; Janz, Stefan
Konferenzbeitrag
2018Rapid vapor-phase direct doping for high-efficiency solar cells
Kühnhold-Pospischil, Saskia; Steinhauser, Bernd; Richter, Armin; Gust, Elke; Janz, Stefan
Zeitschriftenaufsatz
2018Trends in Solar Electricity
Bett, A.W.
Vortrag
201720% efficient solar cells fabricated from epitaxially grown and freestanding n-type wafers
Milenkovic, N.; Driessen, M.; Steinhauser, B.; Benick, J.; Lindekugel, S.; Hermle, M.; Janz, S.; Reber, S.
Zeitschriftenaufsatz
2017Monolithic two-terminal III-V//Si triple-junction solar cells with 30.2% efficiency under 1-Sun AM1.5g
Cariou, R.; Benick, J.; Beutel, P.; Razek, N.; Flötgen, C.; Hermle, M.; Lackner, D.; Glunz, S.W.; Bett, A.W.; Wimplinger, M.; Dimroth, F.
Zeitschriftenaufsatz
2017Origin and impact of crystallographic defects in epitaxially grown Si wafers
Janz, S.; Amiri, D.; Gust, E.; Kühnhold-Pospischil, S.; Riepe, S.; Heinz, F.; Drießen, M.
Konferenzbeitrag
2016Epitaxial N-type silicon solar cells with 20% efficiency
Milenkovic, N.; Drießen, M.; Steinhauser, B.; Benick, J.; Lindekugel, S.; Hermle, M.; Janz, S.; Reber, S.
Konferenzbeitrag
2016Forschungstrends bei den Photovoltaik-Technologien
Rech, B.; Albrecht, S.; Brendel, R.; Peibst, R.; Schmidt, J.; Glunz, S.W.; Bett, A.; Rau, U.; Kirchartz, T.; Camus, C.; Egelhaaf, H.-J.; Baumann, A.; Powalla, M.
Vortrag
2016Solar cells with 20% efficiency and lifetime evaluation of epitaxial wafers
Drießen, M.; Amiri, D.; Milenkovic, N.; Steinhauser, B.; Lindekugel, S.; Benick, J.; Reber, S.; Janz, S.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2013Fehlpassung bei der Homo- und Heteroepitaxie
Kallinger, Birgit
Vortrag
2011Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
Kallinger, Birgit
Dissertation
2008Doping electrical properties and solar cell application of GaInNAs
Volz, K.; Stolz, W.; Teubert, J.; Klar, P.J.; Heimbrodt, W.; Dimroth, F.; Baur, C.; Bett, A.W.
Aufsatz in Buch
2008Optimization of annealing conditions of (GaIn)(NAs) for solar cell applications
Volz, K.; Lackner, D.; Nemeth, I.; Kunert, B.; Stolz, W.; Baur, C.; Dimroth, F.; Bett, A.W.
Zeitschriftenaufsatz
2007Material development for improved 1 eV (Galn)(NAs) solar cell structures
Volz, K.; Torunski, T.; Lackner, D.; Rubel, O.; Stolz, W.; Baur, C.; Müller, S.; Dimroth, F.; Bett, A.W.
Zeitschriftenaufsatz
2005Growth and structural characterization of GaInAsSb films on GaSb substrates
Amariei, A.; Polychroniadis, E.K.; Dimroth, F.; Bett, A.W.
Zeitschriftenaufsatz
2005Metamorphic GaInP-GalnAs layers for photovoltaic applications
Bett, A.W.; Baur, C.; Dimroth, F.; Schöne, J.
Konferenzbeitrag
2004Characterization of GaSb-based heterostructures by scanning electron microscope cathodoluminescence and scanning tunnelling microscope
Storgards, J.; Méndez, B.; Piqueras, J.; Chenot, M.; Dimroth, F.; Bett, A.W.
Zeitschriftenaufsatz
2004Comparison of dilute nitride growth on a single- and 8×4-inch multiwafer MOVPE system for solar cell applications
Dimroth, F.; Baur, C.; Bett, A.W.; Volz, K.; Stolz, W.
Zeitschriftenaufsatz
2004Optimized 9×2-inch MOVPE reactor for the growth of Al-containing antimonides
Dimroth, F.; Bett, A.W.; Giesen, C.; Heuken, M.
Zeitschriftenaufsatz
2004RBS analysis of AlGaSb thin films
Barradas, N.P.; Alves, E.; Ruiz, C.M.; Dieguez, E.; Dimroth, F.; Chenot, M.-A.; Bett, A.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2003Correlation of reduced oxygen content in precursors with improved MOVPE layer quality
Rushworth, S.A.; Smith, L.M.; Ravetz, M.S.; Coward, K.M.; Odedra, R.; Kanjolia, R.; Bland, S.W.; Dimroth, F.; Bett, A.W.
Zeitschriftenaufsatz
2003Growth of Sb-based materials by MOVPE
Dimroth, F.; Agert, C.; Bett, A.W.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2003Thick GaN layers grown by hydride vapor-phase epitaxy: Hetero- versus homo-epitaxy
Hageman, P.R.; Kirilyuk, V.; Corbeek, W.H.M.; Weyher, J.L.; Lucznik, B.; Bockowski, M.; Porowski, S.; Müller, S.
Zeitschriftenaufsatz
2002High-reliability MOCVD-grown quantum dot laser
Sellin, R.L.; Ribbat, C.; Bimberg, D.; Rinner, F.; Konstanzer, H.; Kelemen, M.T.; Mikulla, M.
Zeitschriftenaufsatz
2001High-efficiency (AlGa)As/GaAs solar cells grown by MOVPE using TBAs and low temperatures and low V/III-ratios
Agert, C.; Dimroth, F.; Schubert, U.; Bett, A.W.; Leu, S.; Stolz, W.
Zeitschriftenaufsatz
2000High C-doping of MOVPE grown thin Al(x)Ga(1-x)As layers for AlGaAs/GaAs interband tunneling devices
Dimroth, F.; Schubert, U.; Bett, A.W.; Schienle, F.
Konferenzbeitrag
2000High-power diode lasers. Fundamentals, technology, applications
: Diehl, R.
Buch
2000Low oxygen content trimethylaluminium and trimethylindium for MOVPE of light emitting devices
Smith, L.M.; Rushworth, S.A.; Ravetz, M.S.; Odedra, R.; Konjolia, R.; Agert, C.; Dimroth, F.; Schubert, U.; Bett, A.W.
Zeitschriftenaufsatz
1999Compositional dependence of the elastic constants and the lattice parameter of Al(x)Ga(1-x)As
Gehrsitz, S.; Sigg, H.; Herres, N.; Bachem, K.; Köhler, K.; Reinhart, F.K.
Zeitschriftenaufsatz
1999Herstellung und Charakterisierung von InGaN/GaN Heterostrukturen für kurzwellige Emitter
Ramakrishnan, A.
Diplomarbeit
1997Compositionally graded buffers on GaAs as substrates for Al(0.48)In(0.52)As/Ga(0.47)In(0.53)As MODFETs
Fink, T.; Haupt, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Braunstein, J.; Massler, H.
Konferenzbeitrag
1997Epitaxial overgrowth of 13C diamond films on diamond substrates predamaged by ion implantation
Behr, D.; Locher, R.; Wagner, J.; Koidl, P.; Richter, V.; Kalish, R.
Zeitschriftenaufsatz
1994Oriented CVD diamond films - twin formation, structure and morphology.
Wild, C.; Kohl, R.; Herres, N.; Müller-Sebert, W.; Koidl, P.
Zeitschriftenaufsatz
1994Structure and morphology of oriented diamond films.
Koidl, P.; Wild, C.; Herres, N.
Konferenzbeitrag
1993Atomic-force-microscopic study of heteroepitaxial diamond nucleation on (100) silicon
Jiang, X.; Schiffmann, K.I.; Westphal, A.; Klages, C.-P.
Zeitschriftenaufsatz
1993Comparison of Si delta-doping with homogenous doping in GaAs.
Köhler, K.; Ganser, P.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
1993Epitaxial diamond thin films on (001) silicon substrates
Jiang, X.; Klages, C.-P.; Zachai, R.; Hartweg, M.; Füßer, H.-J.
Zeitschriftenaufsatz
1991Ambient and low temperature photoluminescence topography of GaAs substrates, epitaxial and implanted layers.
Wang, Z.M.; As, D.J.; Jantz, W.; Windscheif, J.
Zeitschriftenaufsatz
1991Optische Spektroskopie an internen Übergängen ausgewählter Festkörpersysteme
Müller, H.D.
Dissertation
1991Spin-Resonanz von delokalisierten und lokalisierten Elektronen in III-V Halbleitern
Wilkening, W.
Dissertation
1984X-ray investigations of boron- and germanium doped silicon epitaxial layers
Herzog, H.-J.; Csepregi, L.; Seidel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1982Low pressure silicon epitaxy.
Krullmann, E.; Engl, W.L.
Zeitschriftenaufsatz
1982Selenium doping of molecular beam epitaxial GaAs using SnSe2.
Smith, R.S.; Ganser, P.M.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz