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2019 | Characterisation of transition metal doped Li+-stabilized Na-beta''-alumina electrolytes Dirksen, Cornelius; Augustina, Anisa Isabella; Schulz, Matthias; Stelter, Michael | Abstract |
2018 | Improving GaAs Solar Cell Performance and Growth Efficiency at MOVPE Growth Rates of 100 µm/h Lang, R.; Schön, J.; Dimroth, F.; Lackner, D. | Vortrag |
2018 | Towards 90% Bifaciality for p-Type Cz-Si Solar Cells by Adaption of Industrial PERC Processes Lohmüller, E.; Lohmüller, S.; Norouzi, M.H.; Saint-Cast, P.; Weber, J.; Meier, S.; Wolf, A. | Konferenzbeitrag |
2018 | Towards the Efficiency Limits of Multicrystalline Silicon Solar Cells Schindler, F.; Fell, A.; Müller, R.; Benick, J.; Richter, A.; Feldmann, F.; Krenckel, P.; Riepe, S.; Schubert, M.C.; Glunz, S.W. | Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag |
2017 | Synthesis and characterization of NIR dye-doped nanoparticles for in vivo tumor diagnostics Schneider, Christine; Dembski, Sofia | Konferenzbeitrag |
2016 | Ion implantation for high-efficiency silicon solar cells Müller, Ralph : Reinecke, H.; Glunz, S.W.; Lausen, G. | Dissertation |
2015 | Electrical and Mechanical Properties of Plated Ni/Cu Contacts for Si Solar Cells Kluska, S.; Bartsch, J.; Büchler, A.; Cimiotti, G.; Brand, A.A.; Hopman, S.; Glatthaar, M. | Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz |
2015 | Untersuchung technischer Einflussgrößen auf die elektrische Leitfähigkeit von festphasen-gesintertem Siliciumcarbid Lankau, Volkmar : Michaelis, Alexander (Gutachter); Martin, Hans-Peter (Betreuer); Lippmann, Wolfgang (Zweitgutachter) | Dissertation |
2015 | Werkstofftrends: Keramische Laserwerkstoffe Reschke, Stefan; Langner, Ramona; Freudendahl, Diana | Zeitschriftenaufsatz |
2014 | Effect of cobalt doping on the sintering mechanisms of the lead-free piezoceramic (Bi0.5Na0.5)TiO3 Schmitt, Veronika; Raether, Friedrich | Zeitschriftenaufsatz |
2014 | Effect of dopants on the local atomic structure and sintering behavior of bismuth sodium titanate Schmitt, Veronika | Dissertation |
2011 | Cu substitutionals and defect complexes in the lead-free ferroelectric knn Kröbel, S.; Elsässer, C. | Konferenzbeitrag |
2011 | Eisenbasierte Hochtemperatursupraleiter Kohlhoff, J. | Zeitschriftenaufsatz |
2011 | Werkstofftrends: Eisenbasierte Hochtemperatursupraleiter Kohlhoff, J.; Reschke, S.; Grüne, M. | Zeitschriftenaufsatz |
2010 | Transport properties of InN Cimalla, V.; Lebedev, V.; Ambacher, O.; Polyakov, V.M.; Schwierz, F.; Niebelschütz, F.; Ecke, G.; Myers, T.H.; Schaff, W.J. | Aufsatz in Buch |
2009 | Biogasfeinentschwefelung mittels neu entwickelter dotierter Aktivkohle Rossow, S.; Deerberg, G.; Goetze, T.; Kanswohl, N.; Nelles, M. | Zeitschriftenaufsatz |
2009 | Feinentschwefelung von Biogas mit dotierter Aktivkohle Rossow, S.; Deerberg, G.; Goetze, T.; Kanswohl, N.; Nelles, M. | Zeitschriftenaufsatz |
2009 | Weniger Schwefel Rossow, S. | Zeitschriftenaufsatz |
2009 | Weniger Schwefel - weniger Formaldehyd Rossow, S.; Deerberg, G.; Goetze, T.; Kanswohl, N.; Schlegel, M. | Zeitschriftenaufsatz |
2008 | Von hoher Reinheit - Feinentschwefelung Rossow, S. | Zeitschriftenaufsatz |
2006 | Molecular beam epitaxy and doping of AlN at high growth temperatures Boger, R.; Fiederle, M.; Kirste, L.; Maier, M.; Wagner, J. | Zeitschriftenaufsatz |
2003 | Optical evaluation of spatial carrier concentration fluctuations in doped InP substrates Baeumler, M.; Diwo, E.; Jantz, W.; Sahr, U.; Müller, G.; Grant, I. | Konferenzbeitrag |
1997 | Electrical and optical properties of oxygen doped GaN grown by MOCVD using N2O Niebuhr, R.; Bachem, K.H.; Kaufmann, U.; Maier, M.; Merz, C.; Santic, B.; Schlotter, P.; Jürgensen, H. | Zeitschriftenaufsatz |
1995 | Optical and electrical characterization of boron-doped diamond films Locher, R.; Wagner, J.; Fuchs, F.; Maier, M.; Gonon, P.; Koidl, P. | Zeitschriftenaufsatz |
1995 | Point defect-based modeling of diffusion and electrical activation of ion implanted boron in crystalline silicon Jäger, H.-U. | Zeitschriftenaufsatz |
1994 | Beiträge zum Sinterverhalten von LaCrO3-Pulvern Eichler, K.; Otschik, P.; Jaenicke-Rößler, K. | Buch |
1994 | Doping dependence of the E1 and E1 plus Delta1 critical points in highly doped n- and p-type GaAs: Importance of surface band bending and depletion Kuball, M.; Kelly, M.K.; Cardona, M.; Köhler, K.; Wagner, J. | Zeitschriftenaufsatz |
1994 | Influence of MBE growth process on photovoltaic 3-5 mym intersubband photodetectors. Larkins, E.C.; Schneider, H.; Ehret, S.; Fleissner, J.; Dischler, B.; Koidl, P.; Ralston, J.D. | Zeitschriftenaufsatz |
1994 | Sinterability on doped lanthanum chromite Eichler, K.; Syskakis, E.; Otschik, P.; Naoumidis, A.; Jaenicke-Rößler, K. | Konferenzbeitrag |
1993 | Nondestructive characterization of Hg1-xCdxTe layer structures by magneto-thermoelectric measurements. Baars, J.; Brink, D. | Konferenzbeitrag |
1992 | Optische Untersuchungen an hoch dotierten GaAs-Schichten und GaAs/AlXGa1-XAs-Heterostrukturen Ramsteiner, M. | Dissertation |
1992 | Raman spectroscopy of dopant induced local vibrational modes in III-V semiconductors Wagner, J. | Konferenzbeitrag |
1992 | Shallow p-n junctions produced by laser doping with boron silicate glass Bollmann, D.; Buchner, R.; Haberger, K.; Neumayer, G. | Konferenzbeitrag |
1991 | The hot-carrier light emission for GaAs MESFETs Koch, F.; Herzog, M.; Moglestue, C.; Schneider, J.; Rosenzweig, J. | Konferenzbeitrag |
1991 | Resonance effects in Raman scattering by dopant-induced local vibrational modes in III-V semiconductors. Newman, R.C.; Koidl, P.; Wagner, J. | Zeitschriftenaufsatz |
1991 | Shallow p-n junctions produced by laser doping with Boron and Phosphorus Silicate glass Bollmann, D.; Stock, G.; Neumayer, G.; Haberger, K. | Konferenzbeitrag |
1990 | Raman spectroscopy of dopant impurities in homogeneously and planar -delta- doped III-V semiconductors. Wagner, J. | Zeitschriftenaufsatz |
1990 | Ultra flat P-N junctions formed by solid source laser doping Stock, G.; Bollmann, D.; Buchner, R.; Neumayer, G.; Haberger, K. | Konferenzbeitrag |
1990 | Ultra flat P-N junctions formed by solid source laser doping Stock, G.; Bollmann, D.; Buchner, R.; Neumayer, G.; Haberger, K. | Konferenzbeitrag |
1988 | Influence of initial conditions on point defect diffusion. Impact on models Dürr, R.; Pichler, P. | Konferenzbeitrag |
1983 | Anwendung des Laserausheilens fuer Halbleiterbauelemente Ryssel, H.; Goetzlich, J. | Zeitschriftenaufsatz |
1983 | CO2-laser annealing of ion implanted silicon - relaxation characteristics of metastable concentrations Goetzlich, J.; Tsien, P.H.; Henghuber, G.; Ryssel, H. | Aufsatz in Buch |
1983 | Doping behavior of implanted Mg in Silicon Sigmund, H.; Weiss, D. | Aufsatz in Buch |
1983 | Implantation doping of germanium with Be, Mg, Zn und B-ions Metzger, M.; Zhang, Z.; Schmiedt, B.; Ryssel, H. | Aufsatz in Buch |
1983 | Laser annealing Ryssel, H.; Goetzlich, J. | Aufsatz in Buch |
1983 | Low cost analog signal fiber link with 300 keV isolation Kranz, H.; Steiner, S. | Aufsatz in Buch |
1983 | Studies on the lattice position of boron in silicon Fink, D.; Carstanjen, H.D.; Jahnel, F.; Muller, K.; Ryssel, H.; Osei, A.; Biersack, J.P. | Zeitschriftenaufsatz |
1982 | Ion Implantation. Ryssel, H. | Aufsatz in Buch |
1982 | Range distributions. Ryssel, H. | Aufsatz in Buch |
1981 | Calorimetric absorption spectroscopy of nonradiative recombination processes in GaP. Bimberg, D.; Bubenzer, A. | Zeitschriftenaufsatz |