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| 2018 | Improving GaAs Solar Cell Performance and Growth Efficiency at MOVPE Growth Rates of 100 µm/h
Lang, R.; Schön, J.; Dimroth, F.; Lackner, D. | Vortrag |
| 2018 | Towards 90% Bifaciality for p-Type Cz-Si Solar Cells by Adaption of Industrial PERC Processes
Lohmüller, E.; Lohmüller, S.; Norouzi, M.H.; Saint-Cast, P.; Weber, J.; Meier, S.; Wolf, A. | Konferenzbeitrag |
| 2018 | Towards the Efficiency Limits of Multicrystalline Silicon Solar Cells
Schindler, F.; Fell, A.; Müller, R.; Benick, J.; Richter, A.; Feldmann, F.; Krenckel, P.; Riepe, S.; Schubert, M.C.; Glunz, S.W. | Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag |
| 2017 | Synthesis and characterization of NIR dye-doped nanoparticles for in vivo tumor diagnostics
Schneider, Christine; Dembski, Sofia | Konferenzbeitrag |
| 2016 | Ion implantation for high-efficiency silicon solar cells
Müller, Ralph
: Reinecke, H.; Glunz, S.W.; Lausen, G. | Dissertation |
| 2015 | Electrical and Mechanical Properties of Plated Ni/Cu Contacts for Si Solar Cells
Kluska, S.; Bartsch, J.; Büchler, A.; Cimiotti, G.; Brand, A.A.; Hopman, S.; Glatthaar, M. | Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz |
| 2015 | Untersuchung technischer Einflussgrößen auf die elektrische Leitfähigkeit von festphasen-gesintertem Siliciumcarbid
Lankau, Volkmar
: Michaelis, Alexander (Gutachter); Martin, Hans-Peter (Betreuer); Lippmann, Wolfgang (Zweitgutachter) | Dissertation |
| 2015 | Werkstofftrends: Keramische Laserwerkstoffe
Reschke, Stefan; Langner, Ramona; Freudendahl, Diana | Zeitschriftenaufsatz |
| 2014 | Effect of cobalt doping on the sintering mechanisms of the lead-free piezoceramic (Bi0.5Na0.5)TiO3
Schmitt, Veronika; Raether, Friedrich | Zeitschriftenaufsatz |
| 2014 | Effect of dopants on the local atomic structure and sintering behavior of bismuth sodium titanate
Schmitt, Veronika | Dissertation |
| 2011 | Cu substitutionals and defect complexes in the lead-free ferroelectric knn
Kröbel, S.; Elsässer, C. | Konferenzbeitrag |
| 2011 | Eisenbasierte Hochtemperatursupraleiter
Kohlhoff, J. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2011 | Werkstofftrends: Eisenbasierte Hochtemperatursupraleiter
Kohlhoff, J.; Reschke, S.; Grüne, M. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2010 | Transport properties of InN
Cimalla, V.; Lebedev, V.; Ambacher, O.; Polyakov, V.M.; Schwierz, F.; Niebelschütz, F.; Ecke, G.; Myers, T.H.; Schaff, W.J. | Aufsatz in Buch |
| 2009 | Biogasfeinentschwefelung mittels neu entwickelter dotierter Aktivkohle
Rossow, S.; Deerberg, G.; Goetze, T.; Kanswohl, N.; Nelles, M. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2009 | Feinentschwefelung von Biogas mit dotierter Aktivkohle
Rossow, S.; Deerberg, G.; Goetze, T.; Kanswohl, N.; Nelles, M. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2009 | Weniger Schwefel
Rossow, S. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2009 | Weniger Schwefel - weniger Formaldehyd
Rossow, S.; Deerberg, G.; Goetze, T.; Kanswohl, N.; Schlegel, M. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2008 | Von hoher Reinheit - Feinentschwefelung
Rossow, S. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2006 | Molecular beam epitaxy and doping of AlN at high growth temperatures
Boger, R.; Fiederle, M.; Kirste, L.; Maier, M.; Wagner, J. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2003 | Optical evaluation of spatial carrier concentration fluctuations in doped InP substrates
Baeumler, M.; Diwo, E.; Jantz, W.; Sahr, U.; Müller, G.; Grant, I. | Konferenzbeitrag |
| 1997 | Electrical and optical properties of oxygen doped GaN grown by MOCVD using N2O
Niebuhr, R.; Bachem, K.H.; Kaufmann, U.; Maier, M.; Merz, C.; Santic, B.; Schlotter, P.; Jürgensen, H. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1995 | Optical and electrical characterization of boron-doped diamond films
Locher, R.; Wagner, J.; Fuchs, F.; Maier, M.; Gonon, P.; Koidl, P. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1995 | Point defect-based modeling of diffusion and electrical activation of ion implanted boron in crystalline silicon
Jäger, H.-U. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1994 | Beiträge zum Sinterverhalten von LaCrO3-Pulvern
Eichler, K.; Otschik, P.; Jaenicke-Rößler, K. | Buch |
| 1994 | Doping dependence of the E1 and E1 plus Delta1 critical points in highly doped n- and p-type GaAs: Importance of surface band bending and depletion
Kuball, M.; Kelly, M.K.; Cardona, M.; Köhler, K.; Wagner, J. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1994 | Influence of MBE growth process on photovoltaic 3-5 mym intersubband photodetectors.
Larkins, E.C.; Schneider, H.; Ehret, S.; Fleissner, J.; Dischler, B.; Koidl, P.; Ralston, J.D. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1994 | Sinterability on doped lanthanum chromite
Eichler, K.; Syskakis, E.; Otschik, P.; Naoumidis, A.; Jaenicke-Rößler, K. | Konferenzbeitrag |
| 1993 | Nondestructive characterization of Hg1-xCdxTe layer structures by magneto-thermoelectric measurements.
Baars, J.; Brink, D. | Konferenzbeitrag |
| 1992 | Optische Untersuchungen an hoch dotierten GaAs-Schichten und GaAs/AlXGa1-XAs-Heterostrukturen
Ramsteiner, M. | Dissertation |
| 1992 | Raman spectroscopy of dopant induced local vibrational modes in III-V semiconductors
Wagner, J. | Konferenzbeitrag |
| 1992 | Shallow p-n junctions produced by laser doping with boron silicate glass
Bollmann, D.; Buchner, R.; Haberger, K.; Neumayer, G. | Konferenzbeitrag |
| 1991 | The hot-carrier light emission for GaAs MESFETs
Koch, F.; Herzog, M.; Moglestue, C.; Schneider, J.; Rosenzweig, J. | Konferenzbeitrag |
| 1991 | Resonance effects in Raman scattering by dopant-induced local vibrational modes in III-V semiconductors.
Newman, R.C.; Koidl, P.; Wagner, J. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1991 | Shallow p-n junctions produced by laser doping with Boron and Phosphorus Silicate glass
Bollmann, D.; Stock, G.; Neumayer, G.; Haberger, K. | Konferenzbeitrag |
| 1990 | Raman spectroscopy of dopant impurities in homogeneously and planar -delta- doped III-V semiconductors.
Wagner, J. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1990 | Ultra flat P-N junctions formed by solid source laser doping
Stock, G.; Bollmann, D.; Buchner, R.; Neumayer, G.; Haberger, K. | Konferenzbeitrag |
| 1990 | Ultra flat P-N junctions formed by solid source laser doping
Stock, G.; Bollmann, D.; Buchner, R.; Neumayer, G.; Haberger, K. | Konferenzbeitrag |
| 1988 | Influence of initial conditions on point defect diffusion. Impact on models
Dürr, R.; Pichler, P. | Konferenzbeitrag |
| 1983 | Anwendung des Laserausheilens fuer Halbleiterbauelemente
Ryssel, H.; Goetzlich, J. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1983 | CO2-laser annealing of ion implanted silicon - relaxation characteristics of metastable concentrations
Goetzlich, J.; Tsien, P.H.; Henghuber, G.; Ryssel, H. | Aufsatz in Buch |
| 1983 | Doping behavior of implanted Mg in Silicon
Sigmund, H.; Weiss, D. | Aufsatz in Buch |
| 1983 | Implantation doping of germanium with Be, Mg, Zn und B-ions
Metzger, M.; Zhang, Z.; Schmiedt, B.; Ryssel, H. | Aufsatz in Buch |
| 1983 | Laser annealing
Ryssel, H.; Goetzlich, J. | Aufsatz in Buch |
| 1983 | Low cost analog signal fiber link with 300 keV isolation
Kranz, H.; Steiner, S. | Aufsatz in Buch |
| 1983 | Studies on the lattice position of boron in silicon
Fink, D.; Carstanjen, H.D.; Jahnel, F.; Muller, K.; Ryssel, H.; Osei, A.; Biersack, J.P. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1982 | Ion Implantation.
Ryssel, H. | Aufsatz in Buch |
| 1982 | Range distributions.
Ryssel, H. | Aufsatz in Buch |
| 1981 | Calorimetric absorption spectroscopy of nonradiative recombination processes in GaP.
Bimberg, D.; Bubenzer, A. | Zeitschriftenaufsatz |