Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2015Dynamic detection of target-DNA with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Espinosa, N.; Schwarz, S.U.; Cimalla, V.; Podolska, A.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2015With electroluminescence microcopy towards more reliable AlGaN/GaN transistors
Baeumler, M.; Dammann, M.; Wespel, M.; George, R.; Konstanzer, H.; Maroldt, S.; Polyakov, V.M.; Müller, S.; Bronner, W.; Brueckner, P.; Benkhelifa, F.; Waltereit, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Wagner, J.; Ambacher, O.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon-Najasek, M.; Lorenzini, M.; Fagerlind, M.; Wel, P. van der; Roedle, T.
Konferenzbeitrag
2012Influence of plasma treatments on the properties of GaN/AlGaN/GaN HEMT structures
Linkohr, S.; Pletschen, W.; Polyakov, V.M.; Himmerlich, M.; Lorenz, P.; Krischok, S.; Kirste, L.; Müller, S.; Ambacher, O.; Cimalla, V.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2012Plasma affected 2DEG properties on GaN/AlGaN/GaN HEMTs
Linkohr, S.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Himmerlich, M.; Lorenz, P.; Krischok, S.; Polyakov, V.M.; Müller, S.; Ambacher, O.; Cimalla, V.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011DNA-sensor based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor
Schwarz, S.U.; Linkohr, S.; Lorenz, P.; Krischok, S.; Nakamura, T.; Cimalla, V.; Nebel, C.E.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2010AlGaN/GaN-based power amplifiers for mobile radio applications: A review from the system supplier's perspective
Wiegner, D.; Luz, G.; Jüschke, P.; Machinal, R.; Merk, T.; Seyfried, U.; Templ, W.; Pascht, A.; Quay, R.; Raay, F. van
Zeitschriftenaufsatz
2010Investigation of leakage current of AlGaN/GaN HEMTs under pinch-off condition by electroluminescence microscopy
Baeumler, M.; Gütle, F.; Polyakov, V.M.; Cäsar, M.; Dammann, M.; Konstanzer, H.; Pletschen, W.; Bronner, W.; Quay, R.; Waltereit, P.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Bourgeois, F.; Behtash, R.; Riepe, K.J.; Wel, P.J. van der; Klappe, J.; Rödle, T.
Zeitschriftenaufsatz
2010Reliability status of GaN transistors and MMICs in Europe
Dammann, M.; Cäsar, M.; Konstanzer, H.; Waltereit, P.; Quay, R.; Bronner, W.; Kiefer, R.; Müller, S.; Mikulla, M.; Wel, P.J. van der; Rödle, T.; Bourgeois, F.; Riepe, K.
Konferenzbeitrag
2009Development of AlGaN/GaN HEMTS with efficiencies above 60% up to 100 V for next generation mobile communication 100 W power bars
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Müller, S.; Musser, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Rijs, F. van; Rödle, T.; Riepe, K.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2009Reliability and degradation mechanism of AlGaN/GaN HEMTs for next generation mobile communication systems
Dammann, M.; Pletschen, W.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Müller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Wel, P.J. van der; Murad, S.; Rödle, T.; Behtash, R.; Bourgeois, F.; Riepe, K.; Fagerlind, M.; Sveinbjörnsson, E.Ö.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2009Reliability of AlGaN/GaN HEMTs under DC- and RF-operation
Dammann, Michael; Cäsar, M.; Waltereit, Patrick; Bronner, Wolfgang; Konstanzer, Helmer; Quay, Rüdiger; Müller, Stefan; Mikulla, Michael; Ambacher, O.; Wel, P. van der; Rödle, T.; Behtash, R.; Bourgeois, F.; Riepe, K.
Konferenzbeitrag
2008Balanced microstrip AlGaN/GaN HEMT power amplifier MMIC for X-band applications
Kühn, J.; Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Bronner, W.; Seelmann-Eggebert, M.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Thumm, M.
Konferenzbeitrag
2008Reliability and degradation mechanism of AlGaN/GaN HEMTs for next generation mobile communication systems
Dammann, M.; Pletschen, W.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Müller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Wel, P.J. van der; Murad, S.; Rödle, T.; Behtash, R.; Bourgeois, F.; Riepe, K.; Fagerlind, M.; Sveinbjörnsson, E.Ö.
Konferenzbeitrag
2005Assessment of layer composition and thickness in AlGaN/GaN HEMT structures by spectroscopic ellipsometry
Baeumler, M.; Müller, S.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag