Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2006GaSb-based 2.X µm quantum-well diode lasers with low beam divergence and high output power
Rattunde, M.; Schmitz, J.; Kaufel, G.; Kelemen, M.T.; Weber, J.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2006GaSb-based tapered diode lasers at 1.93 µm with 1.5-W nearly diffraction-limited power
Pfahler, C.; Kaufel, G.; Kelemen, M.T.; Mikulla, M.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2005Continuous-wave operation of GaInAs/AlGaAsSb quantum cascade lasers
Yang, Q.K.; Bronner, W.; Manz, C.; Moritz, R.; Mann, C.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2004Comprehensive analysis of the internal losses in 2.0 µm (AlGaIn)(AsSb) quantum-well diode lasers
Rattunde, M.; Schmitz, J.; Kiefer, R.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2004High-power, high-brightness GaInSb/AlGaAsSb quantum-well diode-lasers emitting at 1.9µm
Pfahler, C.; Manz, C.; Kaufel, G.; Kelemen, M.T.; Mikulla, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2004Interband type-II miniband-to-bound state diode lasers for the midinfrared
Mermelstein, C.; Schmitz, J.; Kiefer, R.; Walther, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2003Gain and internal losses in GaSb-based 2 µm quantum-well diode lasers
Rattunde, M.; Schmitz, J.; Kiefer, R.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2003Temperature sensitivity of high power GaSb based 2 µm diode lasers
Rattunde, M.; Mermelstein, C.; Schmitz, J.; Kiefer, R.; Pletschen, W.; Walther, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2002Comprehensive modeling of the electro-optical-thermal behavior of (AlGaIn)(AsSb)-based 2.0 µm diode lasers
Rattunde, M.; Mermelstein, C.; Schmitz, J.; Kiefer, R.; Pletschen, W.; Walther, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2002Physics and applications of III-Sb based type-I QW diode lasers
Mermelstein, C.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Kiefer, R.; Walther, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2002Sb-based mid-infrared diode lasers
Mermelstein, C.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Simanowski, S.; Kiefer, R.; Walther, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2001Power efficiency of GaSb based 2.0 µm diode lasers
Rattunde, M.; Mermelstein, C.; Schmitz, J.; Kiefer, R.; Pletschen, W.; Fuchs, F.; Walther, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2001Temperature dependence of threshold current for 1.8 to 2.3 µm (AlGaIn)(AsSb)-based QW diode lasers
Rattunde, M.; Mermelstein, C.; Simanowski, S.; Schmitz, J.; Kiefer, R.; Herres, N.; Fuchs, F.; Walther, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2000Antimonidische III/V-Halbleiterheterostrukturen für Infrarot-Diodenlaser
Simanowski, S.
Dissertation
2000Room temperature cw operation of GaInAsSb/AlGaAsSb quantum well lasers emitting in the 2.2 to 2.3 µm wavelength range
Mermelstein, C.; Simanowski, S.; Mayer, M.; Kiefer, R.; Schmitz, J.; Walther, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2000Room-temperature cw Operation of GaInAsSb/AlGaAsSb Quantum Well Diode Lasers emitting beyond 2 µm
Mermelstein, C.; Simanowski, S.; Mayer, M.; Kiefer, R.; Schmitz, J.; Walther, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2000Room-temperature low-threshold low-loss continous-wave operation of 2.26 µm GaInAsSb/AlGaAsSb quantum-well laser diodes
Mermelstein, C.; Simanowski, S.; Mayer, M.; Kiefer, R.; Schmitz, J.; Walther, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2000Strain adjustment in (GaIn)(AsSb)/(AlGa)(AsSb) QWs for 2.3.-2.7. µm laser structures
Simanowski, S.; Herres, N.; Mermelstein, C.; Kiefer, R.; Schmitz, J.; Walther, M.; Wagner, J.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1999Arsenic incorporation in molecular beam epitaxy (MBE) grown (AlGaIn)(AsSb) layers for 2.0-2.5 mu m laser structures on GaSb substrates
Simanowski, S.; Walther, M.; Schmitz, J.; Kiefer, R.; Herres, N.; Fuchs, F.; Maier, M.; Mermelstein, C.; Wagner, J.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz