Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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2012Hall effect characterizations of 4H-SiC MOSFETs: Influence of nitrogen channel implantation
Mortet, V.; Bedel-Pereira, E.; Bobo, J.; Strenger, C.; Uhnevionak, V.; Burenkov, A.; Cristiano, F.; Bauer, A.
Poster
1995Nitrogen implanted etch-stop layers in silicon
Paneva, R.; Temmel, G.; Ryssel, H.; Burte, E.P.
Conference Paper