Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2017Ungekühlte Mikrobolometer-Arrays mit einer Pixelgröße von 12 µm basierend auf einer neuartigen thermisch isolierenden Struktur
Muckensturm, Kai-Marcel; Weiler, Dirk; Hochschulz, Frank; Busch, Claudia; Geruschke, Thomas; Wall, Simone; Heß, Jennifer; Lerch, Renee G.; Würfel, Daniel; Vogt, Holger
Journal Article
2016Ungekühlte Mikrobolometer-Arrays mit einer Picelgröße von 12 μm basierend auf einer neuartigen thermischen isolierenden Struktur
Muckensturm, Kai-Marcel; Weiler, Dirk; Hochschulz, Frank; Busch, Claudia; Geruschke, Thomas; Wall, Simone; Heß, Jennifer; Lerch, Renee; Würfel, Daniel; Vogt, Holger
Conference Paper
1998Optical and electrical properties of InAs/Ga(1-x)In(x)Sb photodiodes for infrared detection
Fuchs, F.; Pletschen, W.; Weimar, U.; Schmitz, J.; Walther, M.; Wagner, J.; Koidl, P.
Conference Paper
1994Nonresonant electron capture in GaAs/AlAs/AlGaAs double-barrier quantum well infrared detectors.
Schneider, H.; Vinattieri, A.; Shah, J.; Ehret, S.; Larkins, E.C.; Rossmanith, M.
Journal Article
1993Space-charge effects in photovoltaic double barrier quantum well infrared detectors.
Schneider, H.; Larkins, E.C.; Ralston, J.D.; Schwarz, K.; Fuchs, F.; Koidl, P.
Journal Article
1992Grating coupling and intersubband absorption at 10mym in GaAs/AlXGa1-XAs infrared quantum well waveguides.
Bittner, P.; Fleissner, J.; Dischler, B.; Gallagher, D.F.G.; Koidl, P.; Ralston, J.D.
Journal Article
1992Novel molecular-beam epitaxially grown GaAs/AlGaAs quantum well structures for infrared detection and integrated optics at 3-5 and 8-12 mym.
Schneider, H.; Kheng, K.; Fuchs, F.; Bittner, P.; Dischler, B.; Gallagher, D.F.G.; Koidl, P.; Ralston, J.D.
Journal Article
1992Transport asymmetry and photovoltaic response in -AlGa-As/AlAs/GaAs/-AlGa-As single-barrier quantum-wel infrared detectors.
Schneider, H.; Kheng, K.; Ramsteiner, M.; Ralston, J.D.; Fuchs, F.; Koidl, P.
Journal Article
1991Photovoltaic intersubband detectors for 3-5 mym using GaAs quantum wells sandwiched between AlAs tunnel barriers.
Dischler, B.; Fuchs, F.; Koidl, P.; Ralston, J.D.; Schneider, H.; Schwarz, K.
Journal Article
1982New aspects of the material and device technology of intrinsic infrared photodetectors
Baars, J.
Conference Paper