Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2013Hochproduktives Laser-Auftragschweißen mit Pulver und Draht
: Nowotny, Steffen
Report
2013Laserdiodenspektroskopie zur Gasspurenuntersuchung
Grählert, Wulf; Beese, Harald
Conference Paper
20091 Tb/s transmission on a single wavelength channel for future terabit ethernet
Schmidt-Langhorst, C.; Ludwig, R.; Hu, H.; Schubert, C.
Conference Paper
2009Laser-Einheit macht Auftragschweißen auf Bearbeitungszentrum möglich
Nowotny, S.; Münster, R.; Scharek, S.
Journal Article
2009Pressure tuning of external-cavity tapered laser
Trzeciakowski, W.; Dybala, F.; Mrozowicz, M.; Bercha, A.; Piechal, B.; Ostendorf, R.; Gilly, J.; Kelemen, T.
Journal Article
200810 W high-efficiency high-brightness tapered diode lasers at 976 nm
Ostendorf, R.; Kaufel, G.; Moritz, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Kelemen, M.; Gilly, J.
Conference Paper
20085 W frequency stabilized 976 nm tapered diode laser
Friedmann, P.; Gilly, J.; Moritz, S.; Ostendorf, R.; Kelemen, M.T.
Conference Paper
2008Future technology - Laser-assisted fiber placement
Dubratz, Markus
Journal Article
2008GaSb-based VECSEL exhibiting multiple-watt output power and high beam quality at a lasing wavelength of 2.25µm
Rösener, B.; Schulz, N.; Rattunde, M.; Manz, C.; Köhler, K.; Wagner, J.
Conference Paper
2008High-brightness 2.X µm semiconductor lasers
Rattunde, M.; Kelemen, M.T.; Schulz, N.; Pfahler, C.; Manz, C.; Schmitz, J.; Kaufel, G.; Wagner, J.
Conference Paper
2008High-brightness quantum well and quantum dot tapered lasers
Michel, N.; Krakowski, M.; Hassiaoui, I.; Calligaro, M.; Lecomte, M.; Parillaud, O.; Weinmann, P.; Zimmermann, C.; Kaiser, W.; Kamp, M.; Forchel, A.; Pavelescu, E.-M.; Reithmaier, J.-P.; Sumpf, B.; Erbert, G.; Kelemen, M.; Ostendorf, R.; García-Tijero, J.-M.; Odriozola, H.; Esquivias, I.
Conference Paper
2008High-power diode lasers for the 1.9 to 2.2 µm wavelength range
Kelemen, M.T.; Gilly, J.; Moritz, R.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Wagner, J.
Conference Paper
2008High-power high-brightness operation of a 2.25-mu m (AlGaIn)(AsSb)-based barrier-pumped vertical-external-cavity surface-emitting laser
Rösener, B.; Schulz, N.; Rattunde, M.; Manz, C.; Köhler, K.; Wagner, J.
Journal Article
2008An improved active region concept for highly efficient GaSb-based optically in-well pumped vertical-external-cavity surface-emitting lasers
Schulz, N.; Rösener, B.; Moser, R.; Rattunde, M.; Manz, C.; Köhler, K.; Wagner, J.
Journal Article
2008Infrared semiconductor lasers for DIRCM applications
Wagner, J.; Schulz, N.; Rösener, B.; Rattunde, M.; Yang, Q.; Fuchs, F.; Manz, C.; Bronner, W.; Mann, C.; Köhler, K.; Raab, M.; Romasev, E.; Tholl, H.D.
Conference Paper
2008Optically pumped (AlGaIn)(AsSb) semiconductor disk laser employing a dual-chip cavity
Rösener, B.; Schulz, N.; Rattunde, M.; Moser, R.; Manz, C.; Köhler, K.; Wagner, J.
Conference Paper
200740 Gbit/s direkt-modulierte Laser werden Wirklichkeit
Troppenz, U.; Kreissl, J.; Heidrich, H.
Journal Article
2007Geschwindigkeitsrekord auf der Datenautobahn
Schmidt-Langhorst, C.; Schubert, C,; Ludwig, R.; Weber, H.G.
Journal Article
2007Harte Linie
Bonß, S.
Journal Article
2006GaSb-based tapered diode lasers at 1.93 µm with 1.5-W nearly diffraction-limited power
Pfahler, C.; Kaufel, G.; Kelemen, M.T.; Mikulla, M.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Wagner, J.
Journal Article
2006GaSb-based VECSELs emitting at around 2.35 µm employing different optical pumping concepts
Schulz, N.; Rattunde, M.; Manz, C.; Köhler, K.; Wild, C.; Wagner, J.; Beyertt, S.-S.; Brauch, U.; Kübler, T.; Giesen, A.
Conference Paper
2005(AlGaIn)(AsSb) quantum well diode lasers with improved beam quality
Wagner, J.; Geerlings, E.; Kaufel, G.; Kelemen, M.T.; Manz, C.; Pfahler, C.; Rattunde, M.; Schmitz, J.
Conference Paper
2005Charakterisierung von QCLs und Aufbau von QCL-Modulen für die Gasmesstechnik
Braun, M.; Hartwig, S.; Beyer, T.; Peter, A.; Lambrecht, A.
Journal Article
2005Intensity noise properties of quantum cascade lasers
Gensty, T.; Elsässer, W.; Mann, C.
Journal Article
2004Schnelle Gasspektroskopie mit gepulsten Quantenkaskadenlasern für die Luftgütemessung
Lambrecht, A.; Beyer, T.; Braun, M.; Peter, A.; Hartwig, S.
Journal Article
2003Infrarot-Diodenlaser auf der Basis der III-V-Antimonide
Rattunde, M.
Dissertation
2001InGaAs/AlGaAs Leistungslaser hoher elektro-optischer Effizienz und hoher Brillanz
Schmitt, A.
Dissertation
2000Halbleiter-Trapezverstärker als Laserstrahlquellen hoher Brillanz
Morgott, S.
Dissertation
2000High-power diode lasers. Fundamentals, technology, applications
: Diehl, R.
Book
2000Strain adjustment in (GaIn)(AsSb)/(AlGa)(AsSb) QWs for 2.3.-2.7. µm laser structures
Simanowski, S.; Herres, N.; Mermelstein, C.; Kiefer, R.; Schmitz, J.; Walther, M.; Wagner, J.; Weimann, G.
Journal Article
1999Arsenic incorporation in molecular beam epitaxy (MBE) grown (AlGaIn)(AsSb) layers for 2.0-2.5 mu m laser structures on GaSb substrates
Simanowski, S.; Walther, M.; Schmitz, J.; Kiefer, R.; Herres, N.; Fuchs, F.; Maier, M.; Mermelstein, C.; Wagner, J.; Weimann, G.
Journal Article
1999High-efficiency and high-brightness 980-nm AlGaAs/InGaAs diode lasers
Braunstein, J.; Mikulla, M.; Schmitt, A.; Kiefer, R.; Walther, M.; Weimann, G.
Conference Paper
1999Stability of the beam quality of 0.98 mu m InGaAlAs tapered laser oscillators
Schmitt, A.; Mikulla, M.; Walther, M.; Kiefer, R.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Conference Paper
1998Halbleiterlaser
Metzger, Stefan
Journal Article
1998Reduzierung der Strahlfilamentierung an monolithischen Master-Oscillator-Power-Amplifiern
Wetzel, A.
Dissertation
1997Der Laser: "Chamäleon" der Fertigungsmeßtechnik
Pfeifer, T.; Glöckner, C.
Journal Article
1997Trockenätzverfahren für die Herstellung von monolithisch integrierten optoelektronischen Schaltkreisen
Daleiden, J.
Dissertation
1997Uncooled high-temperature (130 deg C) operation of InGaAs-GaAs multiple quantum-well lasers at 20 Gb/s
Czotscher, K.; Larkins, E.C.; Weisser, S.; Benz, W.; Daleiden, J.; Fleissner, J.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Rosenzweig, J.
Journal Article
1996Absolutinterferometrie mit modulierten Halbleiterlasern
Werle, P.; Jänker, B.
Journal Article
1996Charakterisierung von DBR-Laserdioden im InAlGaAs-Materialsystem mit passiven Gittern erster Ordnung
Schmitt, A.
Thesis
1996Fabrication of dry-etched mirrors in GaAs-based and InP-based lasers using chemically assisted ion-beam etching at low temperatures
Sah, R.E.; Ralston, J.D.; Daleiden, J.; Larkins, E.C.; Weisser, S.; Fleissner, J.; Benz, W.
Journal Article
1996InGaAsP/InP 1.55-micron lasers with chemically assisted ion beam-etched facets
Daleiden, J.; Eisele, K.; Keller, R.; Vollrath, G.; Fiedler, F.; Ralston, J.D.
Journal Article
1995Absolutinterferometrie mit wellenlängenstabilisierten Halbleiterlasern
Thiel, J.; Haas, C.; Pfeifer, T.
Journal Article
1995Chemical analysis of a C12/BCl3/IBr3 chemically assisted ion-beam etching process for GaAs and InP laser-mirror fabrication under cryo-pumped ultrahigh vacuum conditions
Daleiden, J.; Eisele, K.; Sah, R.E.; Schmidt, K.H.; Ralston, J.D.
Journal Article
1995New developments and applications of tunable IR lead salt lasers
Tacke, M.
Journal Article
1995Tapered InGaAs/GaAs MWQ lasers with carbon modulation-doping and reduced filamentation
Ralston, J.D.; Laughton, F.R.; Chazan, P.; Larkins, E.C.; Maier, M.; Abd Rahman, M.K.; White, I.H.
Journal Article
1994Band structure engineering in strained semiconductor lasers
O'Reilly, E.P.; Adams, A.R.
Journal Article
1994Emblossed-Grating Lead Chalcogenide Buried-Waveguide Distributed-Feedback Lasers
Fach, M.A.; Böttner, H.; Schlereth, K.-H.; Tacke, M.
Journal Article
1994Guided modes and far-field patterns of lead chalcogenide buried heterostructure laser diodes
Agne, M.; Lambrecht, A.; Tacke, M.; Schiessl, U.
Journal Article
1994Lead chalcogenide implanted diode lasers in CW operation above 77 K
Xu, J.; Lambrecht, A.; Tacke, M.
Journal Article
1994Quantum cascade laser has no role for holes.
O'Reilly, E.P.
Journal Article
1994Weiterentwicklung eines frequenz-modulierten Absorptionsspektrometers mit Dioden-Lasern und sein Einsatz zur Messung der HO2-Radikale in der Luft
Mücke, R.; Slemr, F.; Werle, P.
Book
19937.4 Gbit/s monolithically integrated GaAs/AlGaAs laser diode-laser driver structure.
Hornung, J.; Wang, Z.-G.; Bronner, W.; Olander, E.; Köhler, K.; Ganser, P.; Raynor, B.; Benz, W.; Ludwig, M.
Journal Article
1993Alpha-factor improvements in high-speed p-doped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers.
Schönfelder, A.; Weisser, S.; Ralston, J.D.; Rosenzweig, J.
Journal Article
1993Entwicklung eines wellenlängenstabilisierten Halbleiterlaser-Interferometers zur relativen Längen- sowie absoluten Abstandsmessung
Thiel, J.
: Pfeifer, T. (Prüfer)
Dissertation
199215 Gbit/s integrated laser diode driver using 0,3 mym gate length quantum well transistors.
Nowotny, U.; Gotzeina, W.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Wang, Z.-G.
Journal Article
1992Efficient high-speed direct modulation in p-doped In0.35Ga0.65As/GaAs multiquantum well lasers.
Weisser, S.; Ralston, J.D.; Larkins, E.C.; Esquivias, I.; Tasker, P.J.; Fleissner, J.; Rosenzweig, J.
Journal Article
1992Embossed grating lead chalcogenide distributed-feedback lasers.
Schlereth, K.-H.; Böttner, H.
Journal Article