Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
1995Entwurf und Charakterisierung schneller GaAs-Abtasthalteglieder hoher Genauigkeit
Rohmer, G.
Dissertation
1994An 800 MSps Track and hold using a 0.3 µm AlGaAs-HEMT-technology
Rohmer, G.; Seitzer, D.; Nowotny, U.; Raynor, B.; Schneider, J.; Sauerer, J.
Conference Paper
1994Characterization and Improvement of GaAs HEMT Analog Switches for Sampled-Data Applications
Feng, S.; Seitz, D.
Journal Article
1994GaAs for ADCs. System needs and device requirements
Sauerer, J.; Oehler, F.; Rohmer, G.; Schlag, U.
Conference Paper
1994Implementation of GaAs E/D HEMT analog components for oversampling analog/digital conversion
Feng, S.; Sauerer, J.; Seitzer, D.
Conference Paper
1993A 3.6 Gigasample/s 5 bit analog to digital converter using 0.3 mu m AlGaAs-HEMT technology
Oehler, F.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.; Nowotny, U.; Raynor, B.; Schneider, J.
Conference Paper
1993Differentielles 1 GSps Abtasthalteglied in GaAs-SAGFET-Technologie
Rohmer, G.; Sauerer, J.; Seitzer, D.; Grave, T.; Kellner, W.
Conference Paper
1993Galliumarsenid 5 Bit Parallel-AD-Umsetzer mit integriertem Track & Hold für 1 GHz Abtastrate
Oehler, F.; Rohmer, G.; Hagelauer, R.; Sauerer, J.; Seitzer, D.
Conference Paper
1993Monte-Carlo-Simulationen genauer Analogschaltungen in GaAs-HEMT-Technologie
Feng, S.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.
Conference Paper
1993Untersuchungen an GaAs-HEMT-Analogkomponenten für überabtastende Analog/Digital-Umsetzer mit hoher Geschwindigkeit
Feng, S.
Dissertation
1992Charakterisierung und Modellierung des Übergangsverhaltens von Analogschaltern mit GaAs-E/D-MESFET
Feng, S.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.
Conference Paper
1992Entwurf von GaAs-MESFET-Analogschaltern für Abtastschaltungen
Feng, S.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.
Conference Paper
1992A Gigasample/s 5 bit ADC with on-chip track & hold based on an industrial 1 mu m GaAs MESFET E/D process
Hagelauer, R.; Oehler, F.; Rohmer, G.; Sauerer, J.; Seitzer, D.
Conference Paper
1992Investigations and measurements of the dynamic performance of high speed ADCs
Hagelauer, R.; Oehler, F.; Rohmer, G.; Sauerer, J.; Seitzer, D.; Schmitt, R.; Winkler, D.
Conference Paper
1992Investigations and measurements of the dynamic performance of high speed ADCs
Hagelauer, R.; Oehler, F.; Rohmer, G.; Sauerer, J.; Seitzer, D.; Schmitt, R.; Winkler, D.
Conference Paper
1992Mismatch of current sources and accuracy of D/A converters in 0.5 mu m GaAs/GaAlAs HEMT technology
Feng, S.; Sauerer, J.; Seitzer, D.
Conference Paper
1992System architecture and key components for an 8 bit/1 GHz GaAs MESFET ADC
Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Oehler, F.; Rohmer, G.; Schlag, U.; Seitzer, D.; Grave, T.; Kellner, W.
Conference Paper
1991A Gigasample/s 5 bit ADC with on-chip track & hold based on an industrial 1 mu m GaAs MESFET E/D process
Hagelauer, R.; Oehler, F.; Rohmer, G.; Sauerer, J.; Seitzer, D.
Conference Paper
1991Investigations of emitter characteristics of LPE GaAs solar cells
Welter, H.; Ehrhardt, A.; Wettling, W.; Bett, A.W.
Conference Paper
1991Untersuchungen zum dynamischen Verhalten schneller Analog-Digital-Umsetzer aus Gallium-Arsenid
Hagelauer, R.
Dissertation
1988Paramagnetism of the manganese acceptor in gallium arsenide.
Frey, T.; Maier, M.; Schneider, J.; Gehrke, M.
Journal Article
1987Binding energies of shallow donors in semi-insulating GaAs
Ramsteiner, M.; Wagner, J.
Journal Article
1987Defect induced raman transition in non-stoichiometric Ga-rich GaAs - a pseudolocalized vibrational mode of the GaAs antisite?
Ramsteiner, M.; Newmann, R.C.; Wagner, J.
Journal Article
1987Electron spin resonance of erbium in gallium arsenide
Baeumler, M.; Schneider, J.; Köhl, F.; Tomzig, E.
Journal Article
1987Electronic structure of the neutral manganese acceptor in gallium arsenide
Schneider, J.; Wilkening, W.; Baeumler, M.; Köhl, F.; Kaufmann, U.
Journal Article
1987Raman scattering study of low dose Si+-/implanted GaAs used for metal-semiconductor field-effect transistor fabrication
Jantz, W.; Wagner, J.; Frey, T.
Journal Article
1986Thermal detection of electron spin resonance in the persistent photoconductive state of semi-insulating GaAs crystals grown from pyrolytic BN crucibles
Schneider, J.; Blazey, K.W.
Journal Article