Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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2002(GaIn)(ASP)- und (GaIn)(AsN)-Halbleiterheterostrukturen und ihre Anwendung in Diodenlasern
Serries, D.
Dissertation
2002Quaternary GaInAsN with high In content: Dependence of band gap energy on N content
Serries, D.; Geppert, T.; Ganser, P.; Maier, M.; Köhler, K.; Herres, N.; Wagner, J.
Journal Article