Fraunhofer-Gesellschaft

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CW direct modulation bandwidths up to 40 GHz in short-cavity In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers with undoped active regions

In0.35Ga0.65As/GaAs Mehrfach-Quantenfilm Laserdioden mit undotierter aktiver Zone und Modulationsbandbreiten bis 40 GHz im Dauerstrichbetrieb
 

ECOC '95. 21th European Conference on Optical Communication
1995
S.1015-1018
Englisch
Aufsatz in Buch
Fraunhofer IAF ()
Augendeagramm; direct modulation; direkte Modulation; eye diagram; MQW laser; MQW Laserdiode

Abstract
We present the first semiconductor lasers to achieve direct CW modulation bandwidths exceeding 40GHz. The devices utilize undoped In0.35Ga0.65As/GaAs active regions and achieve largesignal modulation up to 20 Gbit/s together with linewidth enhancement factors as low as 1.4.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-8883.html