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Quantenkaskadenlaser

Unipolar quantum cascade laser comprises adjacent semiconductor multiple layer structures arranged in a periodic sequence and through which an electron flow can be applied by providing contact points.
 
: Yang, Q.; Schneider, H.; Koehler, K.

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DE 2001-10143956 A: 20010907
DE 2001-10143956 A: 20010907
WO 2002-EP10019 A: 20020906
EP 2002-777028 AW: 20020906
DE 10143956 A1: 20030403
EP 1423893 B1: 20050525
H01S0005
H01S0001
H01S0005
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Beschrieben wird ein Quantenkaskadenlaser mit einer Vielzahl von in periodischer Abfolge aneinander grenzenden Halbleiter- Vielschichtstrukturen, durch die hindurch, durch Vorsehen wenigstens zweier Kontaktstellen, ein Elektronenstrom einpraegbar ist und die jeweils einen optisch aktiven Bereich, der wenigstens eine Quantenfilmstruktur aufweist, innerhalb der wenigstens ein oberes und ein unteres Energieniveau fuer Ladungstraeger vorhanden sind, zwischen denen lichtemittierende Ladungstraegeruebergaenge stattfinden, sowie einen Uebergangsbereich aufweisen, der eine Anzahl Halbleiterschichten aufweist, durch die hindurch Elektronen aus dem unteren Energieniveau des optisch aktiven Bereiches in das obere Energieniveau eines an den Uebergangsbereich in Elektronentransportrichtung unmittelbar angrenzenden optisch aktiven Bereichs einer benachbarten Halbleiter-Vielschichtstruktur gelangen. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass wenigstens eine Blockadeschicht innerhalb der Halbleiter-Vielschichtstruktur vorgesehen ist, die ein oberstes Leitungsbandkantenpotenzial aufweist, das hoeher ist als die obersten Bandkantenpotenziale von allen uebrigen innerhalb der Halbleiter-Vielschichtstruktur enthaltenen Halbleiterschichten.

 

WO2003023909 A UPAB: 20030516 NOVELTY - Unipolar quantum cascade laser comprises a number of adjacent semiconductor multiple layer structures (3) arranged in a periodic sequence and through which an electron flow can be applied by providing contact points. A blocking layer (4) is provided within the semiconductor multiple layer structures and has an uppermost conduction band edge potential that is higher than the uppermost band edge potential of all the other semiconductor layers in the structure. DETAILED DESCRIPTION - Preferred Features: The blocking layer is arranged within the optically active region in the electron transporting direction directly next to the transition region (2). The blocking layer has a thickness of 1 nm or less. The semiconductor multiple layer structure is made from a semiconductor material system of a GaInAs/AlInAs or InGaAs/AlAsSb layer combination each fitted to a InP substrate. USE - Used as a unipolar quantum cascade laser. ADVANTAGE - Electron losses are avoided.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-83539.html