Fraunhofer-Gesellschaft

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Compositional analysis of MBE pseudomorphic InGaAs/AlGaAs/GaAs structures by determination of film thickness with SIMS

Analyse der Zusammensetzung MBE gewachsener pseudomorpher InGaAs/AlGaAs/GaAs-Strukturen durch Bestimmung der Schichtdicken mit der SIMS
 
: Höpner, A.; As, D.J.; Köhler, K.; Maier, M.

Benninghoven, A.; Janssen, K.T.F; Tümpner, J.; Werner, H.W.:
Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS VIII
Chichester: Wiley and Sons, 1992
S.873-876 : Abb.,Tab.,Lit.
International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry <8, 1991, Amsterdam>
Englisch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IAF ()
compositional analysis; molecular beam epitaxy; Molekularstrahlepitaxie; Quantentrog-Schichtdicke; quantitative Analyse; quantum well width; secondary ion mass spectrometry; Sekundärionen-Massenspektrometrie

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-8292.html