Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Comparison of ultrahigh-speed 30 GHz undoped and p-doped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers.

Vergleich von ultraschnellen 30 GHz undotierten und p-dotierten In0.35Ga0.65As/GaAs-MQW-Lasern
 

Institute of Electrical and Electronics Engineers -IEEE-:
IEEE Lasers and Electro-Optics Society 1992 Annual Meeting. Post deadline papers
New York/N.Y., 1992
2 S. : Abb.
IEEE Lasers and Electro-Optics Society (Annual Meeting) <5, 1992, Boston/Mass.>
Englisch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IAF ()
Dämpfungsrate; damping rate; Halbleiterlaserdiode; high-frequency direct modulation; Hochfrequenzdirektmodulation; p-doping; p-Dotierung; relative intensity noise; relatives Intensitätsrauschen; semiconductor laser

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-8232.html