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Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung und/oder Oberflaechenbehandlung von Substraten mittels Niederdruck-Plasma

Device for coating and/or surface treating substrates using a low pressure plasma comprises a cathode, an anode, and an auxiliary electrode with passages arranged between the substrate and the cathode forming an outer chamber.
 
: Jung, T.

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DE 2001-10123583 A: 20010515
DE 2001-10123583 A: 20010515
WO 2002-EP2397 A: 20020305
DE 10123583 A1: 20021128
WO 2002092871 A3: 20030213
C23C0016
H01J0037
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IST ()

Abstract
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Beschichtung und/oder Oberflaechenbehandlung von Substraten mittels Niederdruck-Plasma, in deren Innenraum mindestens ein Substrat angeordnet ist. Die Glimmentladung wird dabei mittels Kathoden und Anoden erzeugt. Ebenso betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Oberflaechenbehandlung und/oder Beschichtung von Substraten mittels Niederdruck-Plasma in besagter Vorrichtung. Verwendung findet die erfindungsgemaesse Vorrichtung zur Oberflaechenbehandlung von Substraten, beispielsweise der Reinigung und Aktivierung sowie zur Herstellung von Verschleissschutz-, Korrosionsschutz- oder Antihaftschichten.

 

WO 200292871 A UPAB: 20030204 NOVELTY - Device for coating and/or surface treating substrates using a low pressure plasma comprises a cathode, an anode, and an auxiliary electrode with passages arranged between the substrate and the cathode forming an outer chamber. A glow discharge is generated between the anode and cathode. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a process for coating and/or surface treating substrates using a low pressure plasma in the above device. USE - Used in the production of anti-wear and corrosion protection layers as optical or electrical functional layer and/or anti-adhesion layers, and for coating substrates with plasma polymer layers, amorphous or crystalline carbon layers, silicon- and/or metal-containing layers (claimed). ADVANTAGE - A high layer deposition rate can be achieved.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-81961.html