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Verfahren zur Herstellung eigenspannungsfreier reflektierender optischer Schichtsysteme auf Substraten

Production of a reflecting optical layer system on substrates comprises forming a layer system consisting of alternately arranged molybdenum carbide and silicon.
 
: Yulin, S.; Feigl, T.; Kuhlmann, T.; Kaiser, N.

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DE 2001-10126038 A: 20010521
DE 2001-10126038 A: 20010521
DE 10126038 A1: 20021212
G02B0001
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IOF ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eigenspannungsfreier, reflektierender optischer Schichtsysteme aus Mo2C/Si auf Substraten fuer vorgebbare Wellenlaengen von zu reflektierender Strahlung im extremen ultravioletten Spektralbereich. Im Gegensatz zu bekannten Loesungen soll die Verfahrensfuehrung fuer die Erzeugung eigenspannungsfreier Schichtsysteme einfach durchgefuehrt werden koennen. Hierzu wird auf ein Substrat im Vakuum ein Schichtsystem aus alternierend angeordneten Mo2C- und Silizium auf der Oberflaeche ausgebildet und dann die Eigenspannungen dieses Schichtsystems bei einer Temperaturbehandlung mit einer Erwaermung auf mindestens 200°C und anschliessender Abkuehlung abgebaut.

 

DE 10126038 A UPAB: 20030218 NOVELTY - Production of a reflecting optical layer system on substrates for wavelengths of radiation in the extreme UV region comprises forming a layer system consisting of alternately arranged Mo2C and silicon on the surface of a substrate in a vacuum; and removing the residual stress of the layer system by heat treating at least 200 deg. C and cooling. DETAILED DESCRIPTION - Preferred Features: The heat treatment is carried out in a high vacuum or in an inert atmosphere. The maximum temperature for heat treatment is not more than 400 deg. C and is carried out in an argon atmosphere. The heating and cooling rate is less than 3 deg. C/minute. USE - Used in lithography. ADVANTAGE - The layer system is free from residual stress.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-81954.html