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CMOS-kompatible Herstellung von 3-dimensionalen Spulen mit ferromagnetischem Kern auf einem Siliziumwafer

 

Sessler, G. ; Informationstechnische Gesellschaft -ITG-:
Sensoren, Technologie und Anwendung 1994. Vorträge der ITG-Fachtagung
Berlin: VDE-Verlag, 1994 (ITG-Fachbericht 126)
ISBN: 3-8007-1988-6
S.495-500
Fachtagung Sensoren, Technologie und Anwendung <7, 1994, Bad Nauheim>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IMS, Außenstelle Dresden ( IPMS) ()
CMOS-Technik; dünne magnetische Schicht; induktive Spule; integrierte Spule; On-Chip Spule; Planartechnologie; Solenoidspule

Abstract
Dreidimensionale Spulen mit ferromagnetischem Kern wurden auf einem Silicium-Substrat integriert. Diese neuen, in Planartechnologie hergestellten Bauelemente erlauben die Realisierung von hochempfindlichen Magnetfeldsensoren nach dem Fluxgate-Prinzip. Im Hinblick auf eine kosten- und zeitgünstige Fertigung dieser CMOS-untypischen Bauelemente wurde der Fertigungsprozeß so gestaltet, daß weitgehend bekannte Prozeßschritte eines konventionellen 1,5fm/5V Zweilagenmetall-CMOS-Prozesses ohne Modifikation genutzt werden. Damit ist eine Integration der zur Sensoransteuerung und Signalauswertung erforderlichen peripheren Elektronik auf einem Chip und damit die Realisierung eines hochempfindlichen monolithischen Magnetfeldsensorsystems auf Silicium möglich. Das Verfahren zur Abscheidung und Strukturierung der Kernlegierung wurde im Hinblick auf eine CMOS-Verträglichkeit entwickelt.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/PX-7918.html