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Title
Verfahren zur Entfernung von Schadstoffen aus Abgasen.
Date Issued
1989
Author(s)
Fabian, W.
Roehle, H.
Wolfram, P.
Patent No
1983-3342816
Abstract
Im Zusammenhang mit chemischen Prozessen, insbesondere auch bei der Halbleiter-Herstellung, treten kovalente Hydride, Element-organische Verbindungen usw. als Schadstoffe im Abgas auf. Zur Abgasreinigung wird mit der Erfindung hierfür ein nass-chemisches Verfahren vorgeschlagen, bei dem in einer ersten Stufe die kovalenten Hydride und Element-organischen Verbindungen mittels Brom- oder Jod-Lösungen oder Lösungen von Bromat- oder Jodat-Salzen in spontaner Reaktion aufoxidiert und vollständig in wasserlösliche Verbindungen umgesetzt und in einer zweiten Stufe mittels einer basischen Lösung das in der ersten Stufe entstandene Brom bzw. Jod zu Bromid und Bromat bzw. Jodid und Jodat umgesetzt und gelöst sowie Halogen-Wasserstoffe vollständig neutralisiert werden.; Hinter der zweiten Stufe - vor einem Aktivkohlefilter - ist der Schadstoffgehalt im Abgas auf weniger als 1 ppb (10<-><9>) reduziert.
DE 3342816 A UPAB: 19930925 In a first stage, (I) are oxidised by spontaneous reaction with bromic or iodic acid or solns. or bromate or iodate salts or aq. or organic solns. of Br2 or I2 and converted completely to water-soluble acids. In a second stage, the Br2 or I2 formed in the first stage is converted to bromide and bromate or iodide and iodate and dissolved and H halides and pseudohalides are neutralised completely from the process waste gases, using a basic soln.. Pref. waste gas contains gp. V element hydrides, esp. triorganophosphanes. The HCl in the gas is neutralised in the second stage, pref. with a hydroxide soln. Several first stages are used, connected independently to process plants, and operate with a common second stage. The gases leaving the second stage are passed through carbon filters. USE/ADVANTAGE - Useful in conjuction with chemical processes, pref. those used in semiconductor mfr. (e.g. the CVD process). The gas can be freed almost completely from various harmful gases at room temp.. 0/2
Language
de
Patenprio
DE 1983-3342816 A: 19831124